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n채널 파워트렌치 Mosfet FDS6676AS 인트레그라테드 회로 컴퓨터 파티클 보드

제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) 표면 부착 8-soic
범주:
전자적 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
향상 또는 다른 사람에서 전신환
상술
드레인-소스 전압:
30V
간선:
모듈, 트랜지스터, 다이오드, 축전기, 저항기 기타 등등인 Ic
게이트-소스 전압:
±20V
온도:
- 50-+150' C
공장 팩:
2500PCS/REEL
패키지:
SOP-8
하이라이트:

electronic chip board

,

electronic components ic

도입

n채널 파워트렌치 Mosfet FDS6676AS 인트레그라테드 회로 컴퓨터 파티클 보드

30V 엔-채널 파워트렌치 FDS6676AS 전자 부품 원종축

일반 설명

FDS6676AS는 동시에 일어난 것에 한 개의 SO-8 MOSFET과 쇼트키 다이오드를 대체하도록 설계됩니다

DC :DC 전력 공급 장치. 이 30V MOSFET은 낮은 RDS(ON)와 낮은 게이트 혐의를 제공하면서, 전력 변환 효율을 극대화하도록 설계됩니다. FDS6676AS는 페어 차일드의 한덩어리로 되어 있는 싱크페트 기술을 사용하는 통합된 쇼트키 다이오드를 포함합니다.

애플리케이션

오우 DC / dc 컨버터

오우 낮은 쪽 노트북

특징

한 오우 14.5, VGS = 4.5 V에 있는 VGS = 10 V RDS(ON) max= 7.25 mΩ에 있는 30 V. RDS(ON) max= 6.0 mΩ

오우는 싱크페트 숏트키 바디 다이오드를 포함합니다

오우 낮은 게이트 요금 (전형적인 45nC)

극단적으로 낮은 RDS(ON)와 고속 스위칭을 위한 오우 고성능 트렌치 기술

오우 고전력과 전류 핸들링 능력

절대 최대 정격 TA=25o C 달리 언급되지 않으면

기호 매개 변수 평가 유닛
VDS 드레인-소스 전압 30
VGSS 게이트-소스 전압 ±20
ID

드레인전류 - 연속적입니다 (기록 1a)

- 펄스가 발생됩니다

14.5 A
50
PD

단일 조작 (기록 1a)를 위한 전력 소모

(1b를 주목하세요)

(1c를 주목하세요)

2.5
1.5
1
TJ, TSTG 작동과 저장 결합 온도 범위 +150에 대한 -55 'C

열특성

RθJA 열 저항, 접속 대 주위 (기록 1a) 50 W/' C
RθJC 열 저항, 접합부 대 케이스 (주기 1) 25

정보를 표시하고 주문하는 패키지

디바이스 마킹 장치 릴 사이즈 테이프 폭
FDS6676AS FDS6676AS 13" 12MM 2500 유닛
FDS6676AS fds6676as_nl 13" 12MM 2500 유닛

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