접합형 전기 분해 효과 트랜지스터 입력 작동중인 증폭기 삼성전자 IC 칩 저입력 선입견과 오프셋 전류 TL084IDR
제조 업체:
제조업자
기술:
J-FET 증폭기 4 회로 14-soic
범주:
증폭기 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
공급 전압, VCC+는 (주기 1을 봅니다):
18V
공급 전압 VCC-는 (주기 1을 봅니다):
- 18 Ｖ
차동입력전압, 비디오는 (기록 2를 봅니다):
± 30 Ｖ
입력 전압, VI (기록 1과 3를 보세요):
±15 Ｖ
보존온도범위:
- 65 150 'Ｃ에
하이라이트:
circuit board ic
,electronic components ic
도입
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* ?저 전력 소모 ?
* 넓은 공통 모드와 차별적 전압 범위 ?
* 저입력 선입견과 오프셋 전류 ?
* 출력 단락 보호 ?
* 낮은 총수치 고조파 왜곡 . . . 0.003% Typ ?
* ? 고입카인피단스 . . . JFET-인풋 단계
* ?래치 업 없는 작동
* ?높은 비틀림 비율 . . . 13 V/us Typ
* ?공통 모드 입력전압 범위는 VCC+를 포함합니다
기술 / 명령 정보
TL08x JFET-입력 작동중인 증폭기 가족은 어떠한 이전에 고도로 발달한 작동중인 증폭기 가족 보다 더 넓은 선택을 제공하도록 설계됩니다. 각각의 이러한 JFET-입력 작동중인 증폭기는 최적화된, 하이-볼타게 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터와 바이폴라 트랜지스터를 모놀리식 집적 회로에 통합시킵니다. 장치는 높은 비틀림 비율과 저입력 선입견과 오프셋 전류와 낮은 오프셋 전압 온도 계수를 특징으로 합니다. 오프셋 조정과 분자 외상환 옵션은 TL08x 가족 이내에 이용 가능합니다. C-접미사 장치는 0' Ｃ부터 70' Ｃ까지 작동을 특징으로 합니다. I-접미사 장치는 -40' Ｃ부터 85' Ｃ까지 작동을 특징으로 합니다. Q-접미사 장치는 -40' Ｃ부터 125' Ｃ까지 작동을 특징으로 합니다. M-접미사 장치는 -55' Ｃ에서 125' Ｃ의 가득 찬 군용 온도범위 작전을 특징으로 합니다.
도식적입니다 (각각 증폭기)
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주식:
MOQ:
5pcs