23LC1024-I/SN 회로판은 SDI와 SQI 인터페이스 전자기기 부품으로 1Mbit SPI 일련 SRAM을 자릅니다
제조 업체:
제조업자
기술:
SRAM 메모리용 IC 1Mbit SPI - 쿼드 입출력 20 마하즈 8-soic
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
간선:
모듈, 트랜지스터, 다이오드, 축전기, 저항기 기타 등등인 Ic
지불:
전신환, 페이팔
패키지:
SOP-8
전압:
0.1 0.9 VCC에 대한 VCC
출하:
페덱스, DHL, EMS, TNT
온도:
+85' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
하이라이트:
electronic chip board
,electronic components ic
도입
23LC1024-I/SN
SDI와 SQI 인터페이스와 회로판 칩 1Mbit SPI 일련 SRAM
특징 :
오우 SPI-컴파티블 버스 인터페이스 :
- 20 마하즈 클락 레이트
- SPI / SDI / SQI 방식
오우 저동력 CMOS 기술 :
- 읽기전류 : 5.5V, 20 마하즈에 있는 3 마
- 대기 전류 : +85' Ｃ에 있는 4
제한 없는 읽기와 기입 사이클
오우는 쓰기 시간 0에 맞춥니다
오우 128K Ｘ 8 비트 구조 : - 32 바이트 페이지
오우 바이트, 페이지와 순차 방식 동안 읽고, 씁니다
오우 높은 신뢰도
지원받은 오우 온도 범위 :
오우 Pb-프리와 로에스 순응하, 무독성
오우 8 리드 SOIC, TSSOP과 PDIP 패키지
기술 :
마이크로칩 테크놀로지 회사 23A1024/23LC1024는 1 메가비트 일련 에스램 소자입니다.
메모리는 단순 직렬 주변기기 인터페이스 (SPI) 적합한 직렬 버스를 통해 접근됩니다.
요구된 버스 신호는 (SI)에서 각각의 데이터와 (SO) 라인 바깥쪽의 자료 외에 클락 입력 (SCK) 입니다.
장치에 대한 접근은 칩 선택 (CS) 입력을 통하여 제어됩니다. 덧붙여, 귀하의 어플리케이션이 더 빠른 자료 비율을 필요로 하면 SDI (일련 듀얼 인터페이스)과 SQI (일련 쿼드 인터페이스)은 지원받습니다.
이 장치는 또한 언리미티드를 지원하고 메모리 어레이에 읽고, 씁니다.
23A1024/23LC1024는 8 리드 SOIC, PDIP을 포함하는 표준 패키지에 이용할 수 있고, 8 리드 TSSOP을 진보시켰습니다
주식 리스트의 부품
| IR2117S | IR | 0744 | SOP-8 |
| MMBZ5240BL | ON | 8Q | SOT-23 |
| 2SA1298 | 토시바 | IY | SOT-23 |
| 2SC3265 | SK | EY | SOT-23 |
| MMBT3904 | ON | 오전 1시 | SOT-23 |
| MMBT3906 | ON | 2A | SOT-23 |
| S1G | 비샤이 | S1G | SMA |
| 1N5920 | ON | RK | DO-41 |
| R3060P2 | 페어 차일드 | Y7 12 | TO-220 |
| IRFB20N50KPBF | IR | 538L | TO-220 |
| TLC555CDR | TI | 36M/A98P | SOP-8 |
| DS1307Z+T&R | 격언 | 1539 | SOP-8 |
| MAX3491EESD(+T) | 격언 | 1527 | SOP-14 |
| DS1816-10+T&R | 격언 | 816B/1450 | SOT23-3 |
| ISL60002BIH325Z -TK | 인터실 | SAZ4/SB5R | SOT-23 |
| SLB9635TT1.2-FW3.16 | 인터실 | 1202 | TSSOP-28 |
| DS2438AZ | 격언 | +1235A6 | SOP-8 |
| SN74ALVC164245DGG | TI | 59CK29K | TSSOP-48 |
| ADL5501AKSZ | ADI | QOZ/122 | SC70-6 |
| PIC18F2520 I / 그렇게 | 마이크로칩 | 16021FV | SOP-28 |
| MAX3485ESA | 격언 | 1605 | SOP-8 |
| 캡 엘코 150/50 EEEFK1H151P | 파나소닉 | Y1612F843635/150/50V/RVT | SMD10x10.2 |
| 캡 엘코 470UF/ EEEFK1E471P | 파나소닉 | Y1610F843536/470/25V/SYK | SMD10x10.2 |
| DIODO SM15T36CA | STM | BEV/GP618 | SMC |
| BZX84-B2V4 | 1452년 | SOT-23 | |
| BZX84-B5V6 | 1438년 | SOT-23 | |
| 세라미드 1K/50V 0805 5% X7R CL21B102JBANNNC | 삼성 | AC4T01H | SMD0805 |
| CL10C5R6BB8NNNC | 삼성 | AC5B08T | SMD0603 |
| 디오도 미니멜프 제너 12V ZMM12V |
거리 | SL0B3P0527Z087 비 | SOD-80 |
| 디오도 미니멜프 제너 5V1 ZMM5V1 |
거리 | SL0B3P0427Z003 비 | SOD-80 |
| 디오도 미니멜프 제너 7V5 ZMM7V5 |
거리 | SL0B3P0405Z016 비 | SOD-80 |
| 디오도 미니멜프 제너 10V ZMM10V |
거리 | SL0B3P0405Z024 비 / SL0B3P0128Z058 비 | SOD-80 |
| 1K 25% 0603 ROHS PBY160808T-102Y-N을 비드로 만드세요 | CHILISIN | 2016-3-21 | SMD0603 |
| 10u X5R CL10A106KP8NNNC를 완성하세요 | 삼성 | AC110MY | SMD0603 |
| 캡 4.7u Ｘ 10v X5R CL10A475KP8NNNC | 삼성 | AC3GOFN | SMD0603 |
| 1u X7R CL10B105KA8NNNC를 완성하세요 | 삼성 | AC3GOFN | SMD0603 |
| 비즈 10R 25% PBY160808T-100Y-N | CHILISIN | 2016-3-2 | SMD0603 |
| 비즈 120R 25% PBY160808T-121Y-N | CHILISIN | 2016-2-24 | SMD0603 |
| DFLS120L-7 | 다이오드 | 1341년 | SOD-123 |
| SPC6332S36RGB | SYNCPOWER | 1345/32C | SOT-363 |
| 디지털 입 출력 US1A-13-F | 다이오드 | 1619 | SMA |
| 캡 MC 10UF 50V 2220 X7R 20% C5750X7R1H106M000N | TDK | IB16C29005SD | SMD2220 |
| 캡 MC 10UF/16V X5R CL21A106KAYNNNE | 삼성 | AC3GOFN | SMD0805 |
| 캡 세라미드 18pF 50V 5% GRM1885C1H180JA01D |
무라타 | IA6317YG7 | SMD0603 |
| 캡 MC 2.2NF/50V X7R 5% CL21B222JBNC |
삼성 | AC3MOQF | SMD0805 |
| MC34063ADR2G | ON | 1518 | SOP-8 |
| BD136 | 55 | TO-126 | |
| 디오도 SMA ES2Ca-13-F | 다이오드 | 1618 | SMA |
| DIODO LL4148 | 거리 | SL0B1O1102S271 비 | SOD-80 |
| 0805 8,2PF 50V NPO를 완성하세요 CL21C8R2DBANNNC |
삼성 | AC3MOQF | SMD0805 |
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