IR2113S 디지털 집적 회로 집적 회로 칩 높고 낮 측면 드라이버
circuit board ic
,electronic components ic
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
높고 낮은 측면 드라이버
특징
오우 보동 채널은 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
+500V 또는 +600V에 완전히 사용가능합니다
과도 전압을 부정하도록 관대합니다
면역성인 dV/dt
오우 게이트 드라이브 공급은 10에서 20V의 범위입니다
양쪽 채널을 위한 오우 하측 전압 로크 아웃
적합한 오우 3.3V 논리
분리된 논리 공급은 3.3V에서 20V의 범위입니다
논리와 전원 지상 ±5V 벌충
풀-다운과 오우 CMOS 슈미트 방아쇠식 입력
사이클 에지동작 중단 논리에 의한 오우 사이클
양쪽 채널을 위한 오우 조화된 전달 지연
입력과 동조하여 오우 출력
생산 요약법 패키지
VOFFSET (IR2110) (IR2113) |
500V 최대. 600V 최대. |
IO+/- | 2A / 2A |
출력전압 | 10 - 20V |
(typ.)에서 떨어져 있는 톤 / | 120과 94 나노 초 |
지연 매칭 (IR2110) (IR2113) |
10 나노 초 최대. 20 나노 초 최대. |
기술
IR2110/IR2113은 고전압입니다, 독립적 높고 낮쪽과 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자가 다중에 참조 사항을 달았습니다. 독점 HVIC과 래치 면역 CMOS 기술은 울퉁불퉁한 단위 구성을 가능하게 합니다. 논리 입력은 3.3V 논리아래로, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력과 호환 가능합니다. 출력 드라이버는 최소 운전자들 교차 전도를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다. 전달 지연은 고주파 응용 분야에서 사용을 단순화하기 위해 일치됩니다. 보동 채널은 엔-채널 파워 모스펫 또는 최고 500 또는 600까지 볼트를 운영하는 높은 측면 구성도에서 IGBT를 운전하는데 사용될 수 있습니다.
절대 최대 정격
절대 최대 정격은 장치에 대한 손상이 발생할지도 모르는 지속된 제한을 보여줍니다. 모든 전압 매개 변수는 COM에 참조 사항이 달린 절대 전압입니다. 열 저항과 전력 소모 등급은 탑재된 위원회와 움직이지 않는 공기 상태에서 측정됩니다. 부가 정보는 수치들 28 에서 35에 나타납니다.
기호 | 정의 | 민. | 맥스. | 유닛 | |
VB | 높은 측방 유동 공급 전압 | (IR2110) | -0.3 | 525 | V |
(IR2113) | -0.3 | 625 | |||
VS | 높은 쪽 플로우팅 공급 오프셋 전압 | VB - 25 | VB + 0.3 | ||
VHO | 높은 측방 유동 출력 전압 | VS - 0.3 | VB + 0.3 | ||
VCC | 낮은 쪽 고정 공급 전압 | -0.3 | 25 | ||
VLO | 낮은 쪽 출력 전압 | -0.3 | VCC + 0.3 | ||
VDD | 로직 공급전압 | -0.3 | 버젼 + 25 | ||
VSS | 논리 공급 오프셋 전압 | VCC - 25 | VCC + 0.3 | ||
VIN | 논리 입력 전압 (힌, LIN과 SD) | 버젼 - 0.3 | VDD + 0.3 | ||
dVs/dt | 무방한 벌충 공급 전압 과도 (형태 2) | - | 50 | V/ns | |
PD | TA ≤ +25' C에 있는 패키지 전력 소모 | (14 납 딥) | - | 1.6 | W |
(16 리드 SOIC) | - | 1.25 | |||
RTHJA | 열 저항, 주변에 대한 결합 | (14 납 딥) | - | 75 | 'C/W |
(16 리드 SOIC) | - | 100 | |||
TJ | 접합 온도 | - | 150 | 'C | |
TS | 저장 온도 | -55 | 150 | ||
TL | 리드온도 (납땜, 10/2) | - | 300 |
기능블록도표
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | Q'ty | 제조 | D/C | 패키지 |
BQ24630RGET | 1530 | TI | 11+ | QFN/24 |
OP27GSZ | 6120 | AD | 14+ | SOP |
OP07CSZ | 5820 | AD | 14+ | SOP |
MC12017DR2 | 2509 | ON | 14+ | SOP |
MUR2020RG | 7653 | ON | 13+ | TO-220 |
OP37GPZ | 6200 | AD | 14+ | 하락 |
LM317LZ | 30000 | ON | 12+ | TO-92 |
MC34160P | 3466 | MOT | 16+ | 하락 |
MCP6022 I / SN | 5458 | 마이크로칩 | 14+ | SOP |
NUP4201MR6T1G | 10000 | ON | 16+ | SOT23-6 |
MX25L1605DM1I-12G | 5100 | MXIC | 14+ | SOP |
MC79L05ACLP | 4396 | TI | 16+ | TO-92 |
MC7808ACT | 4150 | ON | 16+ | TO-221 |
LP5900SD-3.3 | 931 | NSC | 11+ | LLP-6 |
BTA225-800B | 3499 | 필립 | 16+ | TO-220A |
NJM4741D | 2840 | JRC | 16+ | 하락 |
MAX3232EUE | 11700 | 격언 | 16+ | TSSOP |
LP5900SD-1.8 | 1262 | NSC | 15+ | LLP-6 |
M24C04-WMN6TP | 38000 | 거리 | 10+ | SOP |
CY62128ELL-45SXIT | 1522 | 싸이프레스 | 14+ | TSOP32 |
MOC3010M | 10000 | FSC | 10+ | 하락 |
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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