L6386D 전자 집적 회로 집적 회로 칩 고전압 높은 것과 하측 드라이버
제조 업체:
제조업자
기술:
14-SO를 뒤집는 하프-브리지 게이트 드라이버 IC
범주:
표시 구동 집적 회로
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
출력 전압:
프부트 - 18 Ｖ에 대한 -3
공급 전압:
- +18 Ｖ에 대한 0.3
프부트 플로우팅 공급 전압:
-1 내지 618 Ｖ
허락된 출력 슬루율:
50 V/ns
접합 온도:
150℃
저장 온도:
-50 내지 150 'Ｃ
하이라이트:
circuit board ic
,electronic chip board
도입
L6386D 전자 집적 회로 집적 회로 칩 고전압 높은 것과 하측 드라이버
- 높은 전압 레일 최고 600V
- dV/dt 면책 +- 50 V/nsec 전액 온도 범위
- 드라이버 전기 성능 : 400이지 마 원천, 650개 마 싱크
- 스위칭 타임즈 50/30 nsec 상승 / 하락 WITH 1nF 로드
- CMOS / TTL 슈미트는 이력현상과 입력을 일으키고, 끌어 넘어뜨립니다
- 하부와 상부 구동부에 전압 공장 폐쇄 하에
- 집적 부트스트랩 다이오드
- 입력과 동조하여 출력
기술
L6386은 BCD 오프라인이 기술에 의해 제조되는 고전압 장치입니다. 그것은 독립적 언급된 채널 전력 MOS 또는 IGBT를 운전하기 위해 가능하게 하는 드라이버 구조를 가집니다. 상위 (플로팅) 부문은 전압 레일 최고 600V와 함께 일할 수 있게 합니다. 논리 입력은 제어 장치와 연결되는 것이 용이하도록 CMOS / TTL 호환 가능입니다.
절대 최대 정격
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| 출력전압 | 출력 전압 | 프부트 - 18에 대한 -3 | Ｖ |
| 프크크 | 공급 전압 | - +18에 대한 0.3 | Ｖ |
| 프부트 | 플로우팅 공급 전압 | -1 내지 618 | Ｖ |
| 프하브그 | 상부 게이트 출력 전압 | - 프부트에 대한 1 | Ｖ |
| 프라이브그 | 하층 게이트 출력 전압 | 프크크 +0.3에 대한 -0.3 | Ｖ |
| Vi | 논리 입력 전압 | 프크크 +0.3에 대한 -0.3 | Ｖ |
| 프디아그 | 오픈 드레인 강행된 전압 | 프크크 +0.3에 대한 -0.3 | Ｖ |
| 프신 | 비교기 입력 전압 | 프크크 +0.3에 대한 -0.3 | Ｖ |
| dVout/dt | 허락된 출력 슬루율 | 50 | V/ns |
| 피티오트 | 전력 총손실 (Tj = 85 'Ｃ) | 750 | mW |
| 트제이 | 접합 온도 | 150 | 'Ｃ |
| Ts | 저장 온도 | -50 내지 150 | 'Ｃ |
기록 : 핀 12, 13과 14를 위한 ESD 면역은 900V (휴먼 바디 모델)까지 보증됩니다
회로 구성도
핀 연결
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