MT41J128M16HA-15E :Ｄ TR IC 칩 프로그래머 1Gb x4 x8 x16 DDR3 SDRAM
제조 업체:
제조업자
기술:
SDRAM - DDR3 메모리용 IC 2Gbit 대비 667 마하즈 13.5 나노 초 96 에프비지에이 (9x14)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VDD = VDDQ =:
+1.5V ±0.075V
구성:
32개 멕 Ｘ 4 Ｘ 8 은행
새로 고침 총수:
8K
행 어드레싱:
16K [13시])
은행 번지 지정:
8 (BA [2시])
하이라이트:
electronic chip board
,electronic components ic
도입
기능블록도표
DDR3 SDRAM은 고속인 것, CMOS 다이내믹 랜덤 액세스 메모리입니다. 그것은 내부로 8 은행 DRAM으로서 구성됩니다.
특징
오우 VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
오우 1.5V 센터 말단 추진 / 당기기 입출력
오우 차별적 양방향성 데이터 섬광 촬영 장치
오우 8n 비트는 구조를 미리 불러옵니다
오우 차별적 클락 입력 (CK, CK#)
오우 8 내부 뱅크
자료와 섬광 촬영 장치와 마스크 신호를 위한 명목상인 오우와 동적 온다이 종료 (ODT)
오우 CAS (읽기) 잠재 (CL) : 5, 6, 7, 8, 9, 10, 또는 11
오우 POSTED CAS 부가적 레이턴시 (AL) : 0, CL - 1, CL - 2
오우 CAS (기입) 잠재 (CWL) : Ｔ CK을 기반으로 하는 5, 6, 7, 8
모드 레지스터 셋 [MRS]) (을 통해 8의 오우 고정된 버스트 길이 (BL)와 4의 폭발 절단 (BC)
오우 선택 가능한 BC4 또는 BL8 접촉식 (광학적 전달 함수)
오우 자기 리프레쉬 모드
주식 리스트
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | 모듈 |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| MSM5219BGS-K-7 | 550 | 오키 | 14+ | QFP |
| PS11003 Ｃ | 500 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
| MB87020PF-G-BND | 3531 | 후지쯔 | 14+ | QFP |
| MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | 지퍼 |
| 7MBP150RTB060 | 210 | 후지 | 12+ | 모듈 |
| MBM200HS6B | 629 | 히다찌 | 14+ | 모듈 |
| PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | 모듈 |
| PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | 모듈 |
| LA1185 | 3928 | 산요 | 14+ | SIP9 |
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | 모듈 |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | ON | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | ON | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | 거리 | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | 아트멜 | 15+ | SOP-8 |
| PS21563 Ｐ | 500 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
| BNX003-01 | 2058 | 무라타 | 14+ | 하락 |
| LTC4441IMSE | 6207 | 선형 | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | 펄스 | 16+ | SOP |
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