M74HC138RM13TR 복합 집적 회로 집적 회로 칩 3 TO 8 라인 디코더 (INVERTING)
circuit board ic
,electronic chip board
M74HC138
(뒤집는) 3 내지 8 라인 디코더
■ 고속도 : VCC = 6V에 있는 tPD = 13 나노 초 (TYP.)
■ 저출력 소실 : TA=25' C에 있는 ICC = 4uA(MAX.)
■ 고잡음 면역 : VNIH = VNIL = 28 % VCC (민.)
■ 대칭적 출력 임피던스 : |IOH| = IOL = 4mA (민)
■ 균형적 전달 지연 : 트플에 티피하들
■ 넓은 작동 전압 범위 : VCC (OPR) = 2V 내지 6V
■ 핀과 74 시리즈 138으로 적합한 기능
기술
M74HC138은 실리콘 게이트 C2MOS 기술로 제조된 고속도 CMOS 3 TO 8 라인 디코더입니다.
만약 장치가 가능해지면, 생산량의 어느 것이 낮게 될지 3개의 이원 선택 입력 (A와 비와 C)이 결정합니다. 만약 허용 입력 G1이 낮게 잡히거나 또한 G2A 또는 G2B가 높이 잡히면, 디코딩 기능이 억제되고 모든 8 출력이 높게 됩니다. 3개의 허용 입력은 기억장치 시스템을 위해 직렬 접속과 적용의 어드레스 디코더를 완화시키기 위해 제공됩니다.
모든 입력은 정전방전과 일시적 과잉전압에 반대하여 보호 회로를 갖추고 있습니다.
절대 최대 정격
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
VCC | 공급 전압 | +7에 대한 -0.5 | V |
VI | 직류 입력 전압 | VCC + 0.5에 대한 -0.5 | V |
보 | DC 출력 전압 | VCC + 0.5에 대한 -0.5 | V |
IIK | DC 입력 다이오드 경향 | ± 20 | 마 |
IOK | dc 출력 다이오드 전류 | ± 20 | 마 |
IO | dc 출력 경향 | ± 25 | 마 |
ICC 또는 IGND | DC VCC 또는 접지전류 | ± 50 | 마 |
PD | 전력 소모 | 500(*) | mW |
트스트그 | 저장 온도 | +150에 대한 -65 | 'C |
TL | 리드온도 (10 초) | 300 | 'C |
절대 최대 정격은 장치에 대한 손상이 발생할지도 모르는 그 가치입니다. 이러한 조건 하에 기능의 운용은 의미되지 않습니다
65 'C에 있는 (*) 500mW ; 65' C부터 85' C까지 300mW / 10mW/' C에 낮추세요
핀 연결과 IEC 논리 기호
입력과 출력 등가 회로
논리도

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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P80C32 - 80C51 8-BIT MICROCONTRO
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