TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR 발광 다이오드 고전력 적외선 발광 소자
제조 업체:
제조업자
기술:
100mA 50' 광선의, 3 밀리미터 Dia (T-1)에 있는 적외선 (IR) 방출기 940nm 1.35V 100mA 16mW/sr
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
특징:
오우 패키지 형태 : 납을 첨가합니다
Features2:
오우 패키지 형상 : T-1
Features3:
(밀리미터에) 오우 차원 : 3
Features4:
오우 중심 파장 : λp = 940 nm
Features5:
오우 높은 신뢰도
FEATURES6:
높은 복사력
하이라이트:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
도입
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR 발광 다이오드 고전력 적외선 발광 소자
특징
오우 패키지 형태 : 납을 첨가합니다
오우 패키지 형상 : T-1
(밀리미터에) 오우 차원 : 3
오우 중심 파장 : λp = 940 nm
오우 높은 신뢰도
오우 높은 복사력
오우 높은 방사 강도
2분의1의 세기의 오우 각 : φ = ± 25'
오우 낮은 순방향 전압
하이 펄스 전기 조작에 적합한 오우
Si 광검출기와 오우 좋은 괴기한 정합
오우 패키지는 검출기 TEFT4300과 조화를 이룹니다
오우 리드 (Pb)는 로에스 2002/95/EC과 WEEE 2002/96/EC에 따라 성분을 -무료
기술
TSAL4400은 적외선, 청회색 플라스틱 패키지에 성형된 높은 복사력과 GaAlAs/GaAs 기술에서 940 nm 발광 다이오드입니다.
애플리케이션
오우 적외선 원격 제어부 장치
오우는 공기 전송 시스템을 자유롭게 합니다
광학 반대와 카드 판독기들을 위한 오우 적외선 원
| 명령 정보 | ||||
| 순서화 코드 | 패키징 | 발언 | 패키지 폼트르 (나노 초) | |
| TSAL4400 | 크기 | MOQ : 5000 PC, 5000 PC / 크기 | T-1 | |
기록
엑스페리먼트 조건은 테이블 기초적인 특성을 봅니다
| 생산 요약법 | ||||
| 성분 | 이에 (mW/sr) | φ (deg) | λP (nm) | tr (나노 초) |
| TSAL4400 | 30 | ± 25 | 940 | 800 |
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