500V 5A 엔-채널 MOSFET은 고전압 MOSFET 과정 AOD5N50을 진보시켰습니다
상술
Vds:
600V@150C
(VGS=10V에) ID:
5 A
(계속) (VGS=10V에) RDS:
< 1="">
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하이라이트:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
도입
AOD5N50 500V,5A 엔-채널 MOSFET
일반 설명
AOD5N50은 인기있는 교류 직류 적용에서 성능과 견고성의 높은 수준을 전달하도록 설계되는 진보적 고전압 MOSFET 과정을 사용하여 제조됩니다.낮은 RDS를 보증된 쇄도 능력과 함께 CIS와 CRS (에) 제공함으로써 이 장치는 새롭고 현존하는 오프라인 전원공급장치 설계에 빨리 입양될 수 있습니다.
생산 요약법
VDS 600V@150C
(VGS=10V에) D 5A
(계속) (VGS=10V에) RDS< 1="">
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전형적 전기적이고 열특성
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