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3V LVDS 단일 집적 회로 고속도 차동 드라이버 DS90LV011ATMF/NOPB DS90LV011A

제조 업체:
제조업자
기술:
1/0 드라이버 LVDS SOT-23-5
범주:
집적 회로 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
공급 전압 (VDD):
-0.3V 내지 +4V
LVCMOS 입력 전압 (TTL IN):
-0.3V 내지 +3.6V
LVDS 출력 전압 (OUT±) -:
-0.3V 내지 +3.9V
LVDS 출력 단락 전류:
24mA
DBV 패키지:
+25' C 위의 7.22 mW/' C
하이라이트:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

도입

DS90LV011A 3V LVDS 한 개의 고속도 차동 드라이버


특징

오우는 TIA/EIA-644-A 표준에 따릅니다

오우 >400Mbps (200MHz) 교환 속도

오우 700 추신 (100 추신 전형적) 최대 차동 스큐

오우 1.5 나노 초 최대 전파 지연

오우 단일 3.3V 전원 공급기

오우 ±350 mV 차별적 신호화

오우 전원차단 보호 (3중 상태인 것에 아웃풋스)

오우 핀 배치는 PCB 설계를 단순화합니다

오우 저출력 소실 (전형적인 3.3V에 있는 23 mW)

오우 SOT-23 5-리드 패키지

SN65LVDS1과 오우 SOT-23 버전 핀 호환

기술

DS90LV011A는 고속 패킷 전송과 저전압 애플리케이션에 대해 최적화된 한 개의 LVDS 드라이버 장치입니다. DS90LV011A는 전력 소모가 고주파로 심지어 낮은 채로 남아 있을 수 있게 허락하는 전류 모드 구동기입니다. 게다가 단락 회로 누전은 또한 최소화됩니다. 장치는 400Mbps (200MHz) 이용 저전압 차동 신호 전송 (LVDS) 기술을 초과하여 자료 비율을 지원하도록 설계됩니다.

(1) 모두 전형적인 다음을 위해 주어집니다 VDD = +3.3V와 TA = +25' C.

(2) 이러한 변수는 설계에 의해 지정됩니다.

더 리미츠는 PVT 에 장치 성능의 통계 분석을 기반으로 합니다

(과정, 전압, 온도) 범위.

(3) CL은 탐침과 픽스쳐 커페시턴스를 포함합니다.

(4) 모든 테스트를 위한 생성기 파형 다르 다음을 상세화했지 않는 한고

f = 1 마하즈, ZO = 50Ω, tr ≤ 1 나노 초, 트프 ≤ 1 나노 초 (10%-90%).

(5) tSKD1, |tPHLD - tPLHD|는 똑같은 채널의 오름 가장자리와 부정적 가는 모서리 사이에 차별적 전파 지연 시간에 크기 차이입니다.

주식 리스트


BFR91 2100 파이 16+ SOT-173
ICP-N15 1780 ROHM 14+ TO-92
BC817 15000 14+ SOT-23
ICL232CBEZT 2460 인터실 13+ SOP-16
AP40T03GH 1600 APEC 14+ TO-252
CD74HC4053E 5850 TI 13+ 하락
FW82801ER SL742 3460 인텔 14+ BGA
CC1150RSTR 1380 TI 15+ QFN16
CG82NM10 QMJM 130 인텔 14+ BGA
BAV21W-V-GS08 15000 비샤이 15+ SOD123
HEF4001BT 1520 15+ SOP
D431000ACZ-70LL 2175 NEC 15+ 하락
BD4745G-TR 5500 ROHM 15+ SOT23-5
ATMEGA32U4-AU 2500 아트멜 13+ QFP-44
IRFB38N20DPBF 1500 IR 14+ TO-220
ATMEGA328P-AU 2500 아트멜 16+ QFP-32
BA6287F-E2 2300 ROHM 16+ SOP-8
FDS9945 2200 FSC 15+ SOP-8
MBR20100CTG 10000 ON 16+ TO-220
DPA425SN 6900 13+ TO-263
AD8331ARQZ 2450 AD 16+ SSOP
1SS389 12000 토시바 16+ SOD-523
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