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DF06S IR 발광 다이오드, 브릿지 다이오드 정류 회로 저 누설

제조 업체:
제조업자
기술:
브리지 정류기 단상 표준 600V 표면 실장 4-SDIP
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
평균 정류 전류:
1.5 A
피크 순방향 돌입 전류:
50 A
전체 소자 산재:
3.1 W
다리마다, 열 저항, 주변에 대한 결합:
40 'C/W
저장 온도:
+150 'C에 대한 -55
작동 접합 온도:
+150 'C에 대한 -55
하이라이트:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

도입

DF005S - DF10S

1.5 암페어 브리지 정류 회로

특징

오우 상승 과부담이 평가됩니다 : 최대인 50 암페어.

오우 글라스는 결합을 부동태화했습니다.

오우 저 누설.

절대적인 최대 Ratings* TA = 25' C 달리 언급되지 않으면

기호 매개 변수 가치 유닛
IO TA = 40' C에 있는 평균 정류 전류 1.5 A
(상승)

피크 순방향 돌입 전류

8.3 부인 단일 하프-사인-파

정격 부하 (JEDEC 방법)에 부가됩니다

50 A
PD

전체 소자 산재

25' C를 위쪽에 낮추세요

3.1

25

mW/' C

RθJA 열 저항, 다리 당 Ambient,**에 대한 결합 40 'C/W
트스트그 보존온도범위 +150에 대한 -55 'C
TJ 작동 접합 온도 +150에 대한 -55 'C

*These 등급은 어떠한 반도체 디바이스의 내구성이 악화될 수 있는 가치를 제한하고 있습니다.

**Device는 0.5 X 0.5 " (13 X 13 밀리미터)과 PCB에 장착했습니다.

전형적인 특성

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. 브랜드 D/C 패키지
UPD720114GA-YEU-AT 12331 NEC 16+ QFP
US1M-13-F 25000 다이오드 15+ SMA
US1MHE3A 47000 비샤이 13+ SMA
US3M-13-F 49000 다이오드 16+ DO-214AB
US90AEVK 17372 멜렉시스 16+ 3-pinsip
USB2514B-AEZC-TR 17443 마이크로칩 14+ QFN
USB2517-JZX 4194 마이크로칩 16+ QFN64
USB3300-EZK 17940 마이크로칩 16+ QFN32
USB3740B-AI2-TR 6915 마이크로칩 16+ QFN10
USBLC6-2P6 8000 거리 16+ SOT666
USBLC6-2SC6 22000 거리 16+ SOT23-6
USBLC6-4SC6 49000 거리 16+ SOT23-6
UT62256CPCL-70LL 8000 UTRON 16+ 하락
UT62256CSC-70LL 4653 UTRON 16+ SOP-28
UX60-MB-5ST 7724 HRS 12+ 커넥로르
V10P10-M3/86A 6790 비샤이 14+ TO-277
V12P10-M3/86A 11132 비샤이 13+ TO-277
V30100S-E3/4W 7172 비샤이 16+ TO-220
V80100PW 7171 비샤이 11+ TO-247
V80100PW-M3/4W 7142 비샤이 11+ TO-3PW
VB921ZVFI 4338 거리 16+ TO-220
VBUS051BD-HD1-GS08 12000 비샤이 16+ LLP1006-2L
VCA821IDR 2767 TI 16+ SOP-14
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