M29W640GT70NA6E 64 메가비트 (8Mb x8 또는 4Mb x16이 안내방송을 합니다) 3V 공급 플래쉬 메모리 공통 IC 칩
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
M29W640GT70NA6E 64 메가비트 (8Mb x8 또는 4Mb x16이 안내방송을 합니다) 3V 공급 플래쉬 메모리 공통 IC 칩
특징
■ 공급 전압
- 프로그램 /를 위한 3.6 V에 대한 VCC = 2.7은 / 읽기를 없앱니다
- 고속 프로그램을 위한 VPP =12 V (선택적)
■ 비동시적 임의 / 페이지 읽기
- 페이지 폭 : 4가지 단어
- 페이지 액세스 : 25 나노 초
- 랜덤 액세스 : 60 나노 초, 70 나노 초, 90 나노 초
■ 고속 프로그램 명령
- (VPP=12 V 없이) 2 word/4 바이트 프로그램
- (VPP=12 V로) 4 word/8 바이트 프로그램
- 16 word/32 바이트 기입 버퍼링합니다
■ 프로그래밍 시간
- 전형적인 바이트 / 단어 당 10 우리
- 칩 프로그램 시간 : 10 S (4개의 워드 프로그램)
M29W640G는 여분 블록, 전용 코멘드를 사용하여 접근될 수 있는 x16 방식으로 128이지 단어 또는 x8 방식으로 256 바이트의 확장블록을 가지고 있습니다. 확장블록은 보호받을 수 있고 그래서 보안 정보를 저장하기에 유용합니다. 그러나 보호는 거꾸로 할 수 없고 한때 보호캔을 보호했고 원상태로 돌려지지 않습니다.
M29W640GT, M29W640GB, M29W640GH와 M29W640GL이 TSOP48 (12x 20 밀리미터), TSOP56 (14x 20 밀리미터), TFBGA48 (6 x8mm, 0.8 밀리미터 피치)와 TBGA64 (10x 13 밀리미터, 1 밀리미터 피치) 패키지로 제공됩니다.
주식 리스트
DS1616 | 5940 | 격언 | 15+ | DIP-24 |
CD74HC4060M96 | 5800 | TI | 15+ | SOP-16 |
74HC283D | 7500 | 16+ | SOP | |
6DI150-050 | 100 | 후지 | 15+ | 모듈 |
DA112S1 | 1925 | 거리 | 16+ | SOP-8 |
DDB6U100N16RR | 100 | 13+ | 모듈 | |
BA3822LS | 2300 | ROHM | 13+ | ZIP-14 |
BU8872FS-E2 | 2100 | ROHM | 16+ | SOP-16 |
CM50DY-24H | 170 | MITSUBISH | 15+ | 모듈 |
AD8541AKSZ | 2450 | AD | 14+ | SC70-5 |
BYV541V200 | 190 | 거리 | 14+ | 모듈 |
AD623BR | 2450 | AD | 15+ | SOP |
A2982SLWTR-T | 2230 | 알레그로 | 16+ | SOP-20 |
MBI6024GFN | 14446 | MBI | 16+ | SSOP |
MA03-24S09 | 741 | 미니맥스 | 14+ | SIP |
LMH0071SQE | 999 | TI | 15+ | WQFN-48 |
ATMEGA8-16PU | 2500 | 아트멜 | 14+ | DIP-28 |
PA0367ANL | 10520 | 펄스 | 16+ | SMD |
PE-53913NL | 14420 | 펄스 | 16+ | SMD |
PE-51686 | 14400 | 펄스 | 16+ | SOP |
LTM2881CV-5#PBF | 5960 | 선형 | 15+ | LGA |
NT5TU32M16CG-25C | 4280 | NANYA | 10+ | BGA |
GBPC3510 | 3460 | 9월달 | 14+ | GBPC |
H11L1VM | 3460 | 페어 차일드 | 13+ | DIP-6 |
DS1554-70+ | 6060 | 댈러스 | 13+ | 하락 |
MAX6495ATT/V+T | 4808 | 격언 | 15+ | TDFN |
MAX6495ATT | 4747 | 격언 | 16+ | TDFN |
IR2155 | 1500 | IR | 13+ | DIP-8 |
MT8816AP | 4414 | ZARLINK | 11+ | PLCC |
AD8307ARZ | 2450 | AD | 14+ | SOP-8 |
CD22M3494MQZ | 1380 | 인터실 | 14+ | PLCC44 |
X5045P | 5000 | 인터실 | 03+ | DIP-8 |
LTC1149CS-5 | 4198 | LT | 12+ | SOP-16 |
74LS06N | 7500 | TI | 15+ | 하락 |
GAL16V8D-25QJ | 3460 | 레티스 | 15+ | PLCC20 |
CS4385-CQZ | 1365 | 사이러스 | 14+ | QFP |
MBRF10100CTG | 10000 | ON | 16+ | TO-220 |
G5LE145DC | 3460 | 옴론 | 14+ | SMD |
MT9075BP | 4599 | ZARLINK | 16+ | PLCC-68 |
PE-65508NL | 3166 | 펄스 | 13+ | SOP-16 |
PE-65861NL | 3322 | 펄스 | 1321+ | SOP-16 |

W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI

PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고

새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축

새로운 IR2110PBF와 원종축

S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩

W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC

MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다

485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL

SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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