2N6405G 실리콘 제어 정류기 역저지 사이리스터 50 에서 800 볼트
상술
T(RMS):
16A
그것 (AV):
10A
ITSM:
160A
PGM:
20W
pg(AV):
0.5W
IGM:
2.0A
도입
2N6405G
실리콘 제어 정류기 역저지 사이리스터 50 에서 800 볼트
특징
센터 게이트와의 오우 유리 패시베이트된 결합
큰 매개 변수 균일성과 안정성을 위한 결합구조
오우 작은고 울퉁불퉁하, 트에르모와트 건설
저열 저항, 높은 방열 A를 위해
800 V에 대한 오우 블로킹 전압
오우 이것들이 Pb-프리 장치입니다
최대 RATINGS* (TJ = 25' C 달리 언급되지 않으면)
평가 | 기호 | 가치 | 유닛 |
온전류 RMS | 그것 (RMS) | 16 | A |
평균 온전류 | 그것 (AV) | 10 | A |
최대 비반복 과전류 | ITSM | 160 | A |
회로 퓨징 고찰 (t = 8.3 부인) | 나 2t | 145 | A2s |
전방 정점 게이트 전원 | PGM | 20 | W |
앞으로 평균 게이트 전원 | pg(AV) | 0.5 | W |
전방 정점 게이트 전류 | IGM | 2.0 | A |
작동 접합부 온도 범위 | TJ | +125에 대한 -40 | 'C |
보존온도범위 | 트스트그 | +150에 대한 -40 | 'C |
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