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BC817-25LT1G NPN 범용 트랜지스터 전자공학 집적 회로

제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 V 500 마 100MHz 300 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
BC817-40LT3:
6C SOT-23 10,000 / 테이프 & 릴
컬렉터-이미터 전압:
45 V
컬렉터베이스 전압:
50 V
이미터 베이스 전압:
5 V
컬렉터전류 - 연속적입니다:
500 마드크
BC817-16LT1:
6A SOT-23 3,000 / 테이프 & 릴
BC817-25LT1G:
6B SOT-23 (Pb-프리) 3,000 / 테이프 & 릴
BC817-25LT3G:
6B SOT-23 (Pb-프리) 10,000 / 테이프 & 릴
하이라이트:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

도입

BC817-25LT1G NPN 범용 트랜지스터 전자공학 집적 회로

* 고이득과 저포화 전압 상보형 - BCX68 PARTMARKING 세부 사항 - BCX69 - CJ BCX69-16 - CG BCX69-25 - CH

특징

오우 Pb-프리 패키지는 이용 가능합니다

최대 정격

조정 심볼값 유닛

컬렉터-이미터 전압 VCEO 45 V

컬렉터베이스 전압 VCBO 50 V

이미터 베이스 전압 VEBO 5.0 V

컬렉터전류 - 연속적인 IC 500 마드크

최대 정격은 디바이스 손상이 발생할 수 있는 그 가치입니다. 장치에 적용된 최대 정격은 개별적 응력 한계 가치 (전혀 정상적 운영 상태) 이고, 동시에 유효하지 않습니다. 만약 이러한 제한이 초과되면, 장치 기능의 운용이 의미되지 않고, 피해가 발생하고 신뢰성이 영향을 받을 수 있습니다.

열특성

특징적 기호 맥스

장치 전체 소자 산재 FR-5 이사회, (주기 1) TA = 25' C

25' C PD 225 1.8 mW mW/' C 열 저항을 위쪽에 낮추세요,

접속 대 주위 RJA 556 'C/W

전체 소자 산재 알루미나 기판, (노트 2) TA = 25' C

25' C PD 300 2.4 mW mW/' C를 위쪽에 낮추세요

열 저항, 접속 대 주위 RJA 417 'C/W

결합과 저장 온도 TJ, +150 'C에 대한 트스트그 -55

1. FR-5 = 1.0 X 0.75 X 0.062에.

2. 99.5% 알루미나에서 Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024.

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