KSP2907ATF 다용도읜 트랜지스터
제조 업체:
제조업자
기술:
홀 TO-92-3을 통한 양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 60 Ｖ 600 마 200MHz 625 mW
범주:
전자적 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이압들
상술
컬렉터베이스 전압:
-60 Ｖ
컬렉터-이미터 전압:
-60 Ｖ
이미터 베이스 전압:
-5 Ｖ
컬렉터전류:
-600 마
컬렉터 전력 손실:
625 mW
접합 온도:
150℃
저장 온도:
-55 ~ 150 'Ｃ
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
KSP2907A
범용 트랜지스터
오우 컬렉터-이미터 전압 : VCEO= 60V
오우 컬렉터 전력 손실 : PC (max)=625mW
오우는 그래프를 위해 KSP2907을 언급합니다
PNP 에피택셜 실리콘 트랜지스터
절대 최대 정격 Ta=25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
기호 매개 변수 값 유닛
VCBO 컬렉터베이스 전압 -60 Ｖ
VCEO 컬렉터-이미터 전압 -60 Ｖ
VEBO 이미터 베이스 전압 -5 Ｖ
IC 컬렉터전류 -600 마
PC 컬렉터 전력 손실 625 mW
TJ 접합 온도 150 'Ｃ TSTG 저장 온도 -55 ~ 150 'Ｃ
거부자
페어 차일드 반도체는 신뢰성, 기능 또는 디자인을 향상시키기 위해 여기에 어떠한 제품에 대한 더 나은 공지 없이 변경을 할 권리를 보유합니다. 페어 차일드는 여기에 묘사된 어떠한 제품 또는 회로의 앱 또는 사용으로부터 발생하는 어떠한 책임도 추측하지 않습니다 ; 또한 그것은 특허권 하에 어떠한 라이센스도 운반하지 않습니까,도 또한 다른 사람의 권리.
생명 지원 정책
페어 차일드의 제품은 핵심 구성 요소 IN 생명 유지 장치 OR SYSTEMS WITHOUT THE 명시적 서면 승인 OF 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션으로 사용하기 위해 승인을 받지 않습니다.
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| VCBO | 컬렉터베이스 전압 | -60 | Ｖ |
| VCEO | 컬렉터-이미터 전압 | -60 | Ｖ |
| VEBO | 이미터 베이스 전압 | -5 | Ｖ |
| IC | 컬렉터전류 | -600 | 마 |
| PC | 컬렉터 전력 손실 | 625 | mW |
| TJ | 접합 온도 | 150 | 'Ｃ |
| TSTG | 저장 온도 | -55 | 'Ｃ |
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