선형 전력 MOSFET 트랜지스터 2N5458 주페트스는 텔레비전 IC 칩을 이끌었습니다
제조 업체:
제조업자
기술:
홀 TO-92 (TO-226)를 통한 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터 엔-채널 25 Ｖ 310 mW
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
특징:
더 높은 이득을 위한 엔-채널
Features2:
교환할 수 있는 배수와 원천
Features3:
높은 AC 입력 임피던스
Features4:
높은 DC 입력 저항
Features5:
낮은 전송과 입력 커패시턴스
FEATURES6:
낮은 교차 변조와 상호 변조 변형
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
선형 전력 MOSFET 트랜지스터 2N5458 주페트스는 텔레비전 IC 칩을 이끌었습니다
접합형 전기 분해 효과 트랜지스터 - 범용 엔-채널 - 소모
n채널형 JFET, 디플리션 모드 (종류 A)는 오디오와 교환 응용의 설계를 했습니다.
특징
더 높은 이득을 위한 오우 엔-채널
교환할 수 있는 오우 배수와 원천
오우 높은 AC 입력 임피던스
오우 높은 DC 입력 저항
오우 낮은 전송과 입력 커패시턴스
오우 낮은 교차 변조와 상호 변조 변형
오우 유니브로크 플라스틱 봉합형 패키지 오우 Pb-프리 패키지는 Available*입니다
최대 정격
| 평가 | 기호 | 가치 | 유닛 |
| 드레인-소스 전압 | VDS | 25 | 프디시 |
| 드레인 게이트 전압 | 성병 임질 | 25 | 프디시 |
| 반대 게이트-소스 전압 | VGSR | -25 | 프디시 |
| 게이트 전류 | IG | 10 | 마드크 |
| TA = 25' Ｃ에 있는 전체 소자 산재는 25' Ｃ 위에 낮춥니다 | PD | 310 2.82 | mW mW/' Ｃ |
| 작동 접합 온도 | TJ | 135 | 'Ｃ |
| 보존온도범위 | 트스트그 | +150에 대한 -65 | 'Ｃ |
최대 정격을 초과하는 스트레스는 장치를 손상시킬 수 있습니다. 최대 정격은 단지 스트레스 비율입니다. 권고된 운영조건 위의 기능의 운용은 의미되지 않습니다. 권고된 운영조건 위의 스트레스에 대한 확장된 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다
명령 정보
장치 패키지 선적
2N5457 TO-92 1000 대 / 박스
2N5458 TO-92 1000 대 / 박스
2N5458G TO-92 (Pb-프리) 1000 대 / 박스
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