파워 모스펫 트랜지스터 오토프로텍티드 VND3NV0413TR를 누전시키세요
상술
특징:
비례 전류 제한
Features2:
과열 차단
Features3:
쇼트 회로 보호
Features4:
통합된 클램프
패키지:
TO-252
간선:
모듈, 트랜지스터, 다이오드, 축전기, 저항기 기타 등등인 Ic
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
파워 모스펫 트랜지스터 오토프로텍티드 VND3NV0413TR를 누전시키세요
특징
타입 | RDS (계속) | Ilim | 프크램프 |
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 |
120 mΩ | 3.5 A | 40 V |
■ 비례 전류 제한
■ 온도 셧다운
■ 쇼트 회로 보호
■ 통합된 클램프
입력 핀으로부터 도출한 ■ 저전류
입력 핀을 통한 ■ 증상을 나타내는 피드백
■ ESD 보호
파워 모스펫 (아날로그 구동)의 게이츠에 대한 ■ 직접적인 접근
2002/95/EC 유럽 지향식에 따른 기준 전력 MOSFET으로 적합한 ■
기술
VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1은 ST마이크로일렉트로닉스 비파워 M0-3 기술에서 설계된 모놀리식 장치이고 DC에서 50이지 킬로 헤르츠 적용까지! 기준 전력 MOSFET을 대체를 의도했습니다. 온도 셧다운에 구축되어 비례 전류 제한과 과전압 클램프는 가옥한 환경에서 칩을 보호합니다.
결점 피드백은 입력 핀에 전압을 모니터링함으로써 발견될 수 있습니다.
장치 개요
패키지 | 순서 코드 | |||
튜브 | 튜브 (무연) | 테이프와 릴 | 테이프와 릴 (무연) | |
SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
회로 구성도와 핀 설명
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