신호 전력 MOSFET 트랜지스터 p 채널 증가 모드 BSP315 SIPMOS
제조 업체:
제조업자
기술:
P-채널 50 Ｖ 1A 1.8W 표면 부착 SOT-223
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
간선:
모듈, 트랜지스터, 다이오드, 축전기, 저항기 기타 등등인 Ic
특징:
p 채널
Features2:
증가 모드
Features3:
오우 논리 레벨
Features4:
VGS(th) = -0.8...-2.0 Ｖ
패키지:
SOT-23
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
신호 전력 MOSFET 트랜지스터 p 채널 증가 모드 BSP315 SIPMOS
오우 p 채널
오우 증가 모드
오우 논리 레벨
오우 VGS(th) = -0.8...-2.0 Ｖ
드레인-소스 항복 전압 V(BR)DSS = Ｆ (트제이)
일시적 열적 임피던스 Z번째 일본 농업 공동 조합 = Ｆ(tp) 매개 변수 : Ｄ = tp / Ｔ
최대 정격
| 매개 변수 | 기호 | 가치 | 유닛 |
| 드레인 소스 전압 | VDS | -50 | Ｖ |
|
드레인 게이트 전압 RGS = 20 kΩ |
VDGR | -50 | |
| 게이트 소스 전압 | VGS | ± 20 | |
|
연속배수 경향 TA = 39 'Ｃ |
ID | -1.1 | A |
|
DC 드레인전류, 펄스용 TA = 25 'Ｃ |
이드풀스 | -4.4 | |
|
전력 소모 TA = 25 'Ｃ |
피티오트 | 1.8 | Ｗ |
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