3 세대 HEXFET IRFBC40PBF 파워 모스펫 트랜지스터 고속 스위칭
제조 업체:
제조업자
기술:
홀 TO-220AB을 통한 엔-채널 600 Ｖ 6.2A (Tc) 125W (Tc)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VDS (V):
600
(Ω) (의) RDS:
VGS = 10 Ｖ
큐그 (최대) (nC):
60
큐그스 (nC):
8.3
큐그드 (nC):
30
구성:
단일
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
파워 모스펫
특징
오우 원동력 dV/dt 평가
평가된 오우 반복성 쇄도
오우는 스위칭을 금식시킵니다
병렬의 오우 용이성
오우 단순한 드라이브 요구사항
이용 가능한 -무료 오우 리드 (Pb)
기술
비샤이로부터의 3 세대 파워 모스펫은 디자이너에게 고속 스위칭, 울퉁불퉁한 기기 디자인, 낮은 온 저항과 비용효율성의 최고의 조합을 제공합니다.
TO-220 패키지는 대략 50 Ｗ에 파워 손실 레벨에 모든 상업적 산업적 적용을 위해 보편적으로 발탁됩니다. TO-220의 저열 저항과 낮은 패키지 비용은 산업 전체에 걸쳐 그것의 광역 수용에 기여합니다
| 명령 정보 | |
| 패키지 | TO-220 |
| -무료 (Pb)를 이끄세요 |
IRFBC40PbF SiHFBC40-E3 |
| 스네퍼비 |
IRFBC40 SiHFBC40 |
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MOQ:
20pcs