HEXFET 파워 모스펫 트랜지스터, 파워 모스펫 모듈 IRF7329TRPBF
제조 업체:
제조업자
기술:
Mosfet 배열 12V 9.2A 2W 표면 부착 8-SO
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
배수 소스 전압:
-12 Ｖ
연속배수 경향, -4.5V에 있는 VGS:
-7.4 A
펄스용 드레인전류 ?:
-37 A
전력 소모 ?:
2.0 Ｗ
선 감쇄 요소:
16 mW/' Ｃ
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
HEXFET 파워 모스펫 트랜지스터, 파워 모스펫 모듈 IRF7329
? 트렌치 기술 ?
극저 온 저항
? 듀얼 P-채널 MOSFET
?
저자세 (<1>
테이프 & 릴에 이용할 수 있습니까 ?
무연
기술
국제적인 정류기로부터의 새로운 P-채널 HEXFET® 파워 모스펫은 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 혜택은 폭 넓게 다양한 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 기기를 제공합니다. SO-8은 다양한 전력 적용에서 그것을 이상적이게 하여 강화한 열특성과 복수 다이 능력을 위한 주문 제작된 리드프레임을 통하여 변경되었습니다. 이러한 개선으로, 다수의 장치는 극적으로 감소된 보드 공간과 적용에서 사용될 수 있습니다. 패키지는 기체상 또는 적외선 또는 납땜 공정 기술을 위해 설계됩니다
| 매개 변수 | 맥스. | 유닛 | |
| VDS | 배수 소스 전압 | -12 | Ｖ |
| TA = 25' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, -4.5V에 있는 VGS | -9.2 | A |
| TA= 70' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, -4.5V -7.4에 있는 VGS | -7.4 | |
| IDM | 펄스용 드레인전류 ? | -37 | |
| PD @TA = 25' Ｃ | 전력 소모 ? | 2.0 | Ｗ |
| PD @TA = 70' Ｃ | 전력 소모 ? | 1.3 | |
| 선 감쇄 요소 | 16 | mW/' Ｃ | |
| VGS | 게이트-소오스 전압 | ± 8.0 | Ｖ |
| TJ, TSTG | 결합과 보존온도범위 | -55 내지 + 150 | 'Ｃ |
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