높은 전류스위칭을 위한 PNP / NPN 에피타키샤르프레나 실리콘 파워 트랜지스터 2SC5707
power mosfet ic
,multi emitter transistor
높은 전류스위칭을 위한 PNP / NPN 에피타키샤르프레나 실리콘 파워 트랜지스터 2SC5707
애플리케이션
오우 DC / dc 컨버터, 릴레이 드라이버, 램프 구동기, 모터 구동장치, 플래시
특징
FBET과 메가비트 진행의 오우 입양.
오우 큰 흐름 전기 용량.
오우 낮은 집전기-방전기 포화 전압.
오우 고속 스위칭.
오우 높은 허용 전력 산재.
상술 ( ) : 2SA2040
매개 변수 | 기호 | 상태 | 평가 | 유닛 |
콜렉터-투-베이스 전압 | VCBO | -- | (--50)100 | V |
수집기 대 이미터 전압 | VCES | -- | (--50)100 | V |
수집기 대 이미터 전압 | VCEO | -- | (--)50 | V |
방출기 기반 전압 | VEBO | -- | (--)6 | V |
컬렉터전류 | IC | -- | (--)8 | A |
컬렉터전류 (펄스) | ICP | -- | (--)11 | A |
베이스 전류 | IB | -- | (--)2 | A |
컬렉터 손실 | PC |
-- Tc=25' C |
1.0 15 |
W W |
접합 온도 | 트제이 | -- | 150 | 'C |
저장 온도 | 트스트그 | -- | --+150에 대한 55 | 'C |
매개 변수 | 기호 | 상태 | 분. | Typ. | 최대. | 유닛 |
컬렉터 차단 전류 | ICBO | VCB= (--) 40V, IE=0A | -- | -- | (--)0.1 | uA |
방출기 컷오프 전류 | IEBO | VEB= (--) 4V, IC=0A | -- | -- | (--)0.1 | uA |
직류 전류 이득 | 하페 | VCE= (--) 2V, IC= (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
이득 밴드폭 산물 | fT | VCE= (--) 10V, IC= (--) 500mA | -- | (290)330 | -- | 마하즈 |
출력 커패시턴스 | Cob | VCB= (--) 10V, f=1MHz | -- | (50)28 | -- | pF |
집전기-방전기 포화 전압 |
VCE(sat)1 VCE(sat)2 |
IC= (--) 3.5A, IB= (--) 175mA IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA |
-- -- |
(--230)160 (--240)110 |
(--390)240 (--400)170 |
mV mV |
-에미터르 포화에 대한 토대 전압 | (앉힌) VBE | IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA | -- | (--)0.83 | (--)1.2 | V |
콜렉터-투-베이스 항복 전압 | V(BR)CBO | IC= (--) 10uA, IE=0A | (--50)100 | -- | -- | V |
집전기-방전기 항복 전압 | V(BR)CES | IC= (--) 100uA, RBE=0Ω | (--50)100 | -- | -- | V |
집전기-방전기 항복 전압 | V(BR)CEO | IC= (--) 1mA, RBE=∞ | (--)50 | -- | -- | V |
방출기 기반 항복 전압 | V(BR)EBO | IE= (--) 10uA, IC=0A | (--)6 | -- | -- | V |
턴온 시간 | 톤 | 특정한 시험 회로를 보세요. | -- | (40)30 | -- | 나노 초 |
저장 시간 | 트스트그 | 특정한 시험 회로를 보세요. | -- | (225)420 | -- | 나노 초 |
강하 시간 | 트프 | 특정한 시험 회로를 보세요. | -- | 25 | -- | 나노 초 |
패키지 치수 패키지 치수
유닛 : 밀리미터 유닛 : 밀리미터
7518-003 7003-003
교대 시간 시험 회로
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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