일반적 Af 적용성, 높은 컬렉터전류 Bc817-40을 위한 트랜지스터 (Npn)
제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 Ｖ 500 마 100MHz 300 mW 표면 부착 SOT-23
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터베이스 전압:
50 Ｖ
컬렉터-이미터 전압:
45 Ｖ
이미터 베이스 전압:
5 Ｖ
-연속적인 컬렉터전류:
0.5 A
컬렉터 전력 손실:
0.3 Ｗ
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
NPN 실리콘 AF 트랜지스터
일반적 AF 애플리케이션을 위한 오우
오우 높은 컬렉터전류
오우고 전류 획득
오우 낮은 콜렉터-에미터 포화전압
오우 상보형 : BC807.../W, BC808.../W (PNP)
오우 Pb-프리 (순응한 로에스)package1)
오우 자격 있는 부합시키는 AEC Q101
최대 RATINGS (그렇지 않았다면 주목되지 않는다면 TA=25C)
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| VCBO | 컬렉터베이스 전압 | 50 | Ｖ |
| VCEO | 컬렉터-이미터 전압 | 45 | Ｖ |
| VEBO | 이미터 베이스 전압 | 5 | Ｖ |
| IC | -연속적인 컬렉터전류 | 0.5 | A |
| PC | 컬렉터 전력 손실 | 0.3 | Ｗ |
| 트제이 | 접합 온도 | 150 | Ｃ |
| 트스트그 | 저장 온도 | -55-150 | Ｃ |
전형적인 특성
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5pcs