낮은 열 저항 100 Ｖ 엔-채널 네스페트 파워 모스펫 CSD19533Q5A
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 100 Ｖ 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) 표면 부착 8-vsonp (5x6)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인 대 소스 전압:
100 Ｖ
게이트전하 전체 (10 V):
27 nC
게이트전하 게이트가 고갈됩니다:
4.9 nC
저항 위의 드레인 대 소스:
8.7 mΩ
문턱 전압:
2.8 Ｖ
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
특징
오우 극히 낮은 큐그와 큐그드
오우 저열 저항
평가된 오우 쇄도
오우 Pb-프리 단자 도금
오우 로에스 순응합니다
오우 무독성
오우 손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지
애플리케이션
오우 1차 측면 텔레콤
오우 2차 측면 동기 정류기
오우 모터 콘트롤
기술
이 100 Ｖ, 7.8 mΩ, 손흥민 5 밀리미터 Ｘ 6 밀리미터 네스펫텀
파워 모스펫은 안에 손실을 최소화하도록 설계됩니다
전력 변환 응용.
Q5A 테이프와 릴 정보
기록 :
1. 10 필름의 구멍이 걸리는 톱니바퀴 홀 피치 누적 공차 ±0.2
2. 250 밀리미터 동안 비누적형인 100 밀리미터에 1 밀리미터를 초과하지 않기 위해 중앙이 볼록해지세요
3. 재료 : 검은 정적 소산성 폴리스티렌
4. 모든 차원은 밀리미터에 있습니다 (그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면)
5. A0과 B0은 더 포켓의 바닥 위에 평평한 0.3 밀리미터로 측정되었습니다
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20pcs