20V 파워 모스펫 트랜지스터 엔-채널 파워트렌치 MOSFET FDV305N
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 20 Ｖ 900mA (Ta) 350mW (Ta) 표면 부착 SOT-23-3
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인-소스 전압:
20 Ｖ
게이트-소스 전압:
± 12 Ｖ
최대 파워 분해:
0.35 Ｗ
입력전류:
±5 마
작동과 저장 결합 온도 범위:
+150 'Ｃ에 대한 -55
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
FDV305N 20V 엔-채널 파워트렌치 MOSFET
일반 설명
이 20V 엔-채널 MOSFET은 페어 차일드의 고전압 파워트렌치 과정을 사용합니다. 그것은 전력 관리 어플리케이션에 대해 최적화되었습니다.
애플리케이션
오우 로드 스위치
오우 배터리 보호
오우 전원관리
특징
한 오우 0.9, 20 Ｖ
VGS = 4.5 Ｖ에 있는 = 220 mΩ (의) RDS
VGS = 2.5 Ｖ에 있는 = 300 mΩ (의) RDS
오우 낮은 게이트 요금
오우 고속 스위칭 속도
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 오우 고성능 트렌치 기술
절대 최대 정격
| 기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | 20 | Ｖ |
| VGSS | 게이트-소스 전압 | ± 12 | Ｖ |
| ID |
드레인전류 - 연속적입니다 - 펄스가 발생됩니다 |
0.9 2 |
A |
| PD | 최대 파워 분해 | 0.35 | Ｗ |
| TJ, TSTG | 작동과 저장 결합 온도 범위 | +150에 대한 -55 | 'Ｃ |
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