극단적 낮은 온 저항 HEXFET 파워 모스펫 P-채널 MOSFET SOT-23 발자국 고속 스위칭 IRLML6402TRPBF
제조 업체:
제조업자
기술:
P-채널 20 Ｖ 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) 표면 부착 Micro3TM/SOT-23
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
배수 소스 전압:
-20 Ｖ
연속배수 경향, -4.5V에 있는 VGS:
-3.7 A
연속배수 경향, VGS @-4.5V:
-2.2 A
펄스용 드레인전류 ?:
-22 A
전력 소모:
1.3 Ｗ
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
?????? HEXFET? 파워 모스펫 Ｔ
* 극저 온 저항
* P-채널 MOSFET
* SOT-23 발자국
* 저자세 (<1>
* 테이프와 릴에 이용할 수 있습니다
* 고속 스위칭 ?????
국제적인 정류기로부터의 이러한 P-채널 MOSFET은 실리콘 면적마다 극단적으로 낮은 온리지스턴스를 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. HEXFET® 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 이익이 배터리와 부하관리에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.
열띠게 강화한 큰 발사대 리드프레임은 산업의 가장 작은 발자국과 HEXFET 파워 모스펫을 생산하기 위해 표준 SOT-23 일괄에 통합되었습니다. Micro3TM으로 불려진 이 패키지는 인쇄 회로 기판 스페이스가 프리미엄에 있는 적용에 이상적입니다. 저자세 (<1>
| 매개 변수 | 맥스. | 유닛 | |
| VDS | 배수 소스 전압 | -20 | Ｖ |
| TA = 25' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, -4.5V에 있는 VGS | -3.7 | A |
| TA= 70' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, -4.5V에 있는 VGS | -2.2 | |
| IDM | 펄스용 드레인전류 ? | -22 | |
| PD @TA = 25' Ｃ | 전력 소모 | 1.3 | Ｗ |
| PD @TA = 70' Ｃ | 전력 소모 | 0.8 | |
| 선 감쇄 요소 | 0.01 | W/' Ｃ | |
| EAS | 단일 펄스 에벌런치 에너지? | 11 | 마제이 |
| VGS | 게이트-소오스 전압 | ± 12 | Ｖ |
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