2SC4793(F,M) A1837에 보충적인 트랜지스터 파워 드라이버 단계 증폭기 적용
제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 230 Ｖ 1 철저한 100MHz 2 Ｗ가 TO-220NIS에 구멍을 뚫습니다
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VCBO:
-230 Ｖ
VCEO:
-230 Ｖ
VEBO:
-5 Ｖ
IC:
-1 A
IB:
-0.1 A
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
토시바 트랜지스터 실리콘 PNP 에피택셜형
전력 증폭기 응용
드라이버단 증폭기 출원
오우 높은 전이 주파수 : fT = 70 마하즈 (typ.)
2SC4793에 보충적인 오우
기록 :
무거운 짐 (예를 들면 고온 / 해류 / 전압의 적용과 온도, 기타 등등의 주요 변화) 하에 끊임없이 사용하는 것 이 제품이 운영 상태 (즉 작동 온도 / 해류 / 전압, 기타 등등)이 절대 최대 정격 내에 포함될지라도 의미 심장하게 신뢰성에서 감소하게 할 수 있습니다. 토시바 반도체 신뢰성 안내서 (취급 예방책 /Derating 개념과 방법)과 개별적 신뢰도 자료 (즉 신뢰성 테스트 리포트와 예상되는 실패 율, 기타 등등)을 검토하는 것에 적절한 신뢰성을 설계하세요.
절대 최대 정격 (Tc = 25' Ｃ)
| 특성 | 기호 | 평가 | 유닛 |
| 컬렉터베이스 전압 | VCBO | -230 | Ｖ |
| 컬렉터-이미터 전압 | VCEO | -230 | Ｖ |
| 이미터 베이스 전압 | VEBO | -5 | Ｖ |
| 컬렉터전류 | IC | -1 | A |
| 베이스 전류 | IB | -0.1 | A |
|
컬렉터 전력 손실 Ta = 25' Ｃ Tc = 25' Ｃ |
PC | 2.0 | Ｗ |
| 20 | |||
| 접합 온도 | 트제이 | 150 | 'Ｃ |
| 보존온도범위 | 트스트그 | -55 내지 150 | 'Ｃ |
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