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새롭게 & 원형은 MOSFET 트랜지스터 (-100V, -2A) 2SB1316을 강화합니다

제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP - 달링턴 100 V 2 50MHz 10 W 표면 부착 CPT3
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터베이스 전압:
-100 V
컬렉터-이미터 전압:
-100 V
이미터 베이스 전압:
- 8 V
접합 온도:
150' C
저장 온도:
+150' C에 대한 -55
컬렉터전류:
-2 A(DC)
하이라이트:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

도입

파워 트랜지스터 (-100V, -2A) 2SB1580 / 2SB1316

특징

1) 높은 직류 전류 이득을 위한 다링톤 접속.

2) 토대와 방출기 사이의 짜맞춘 저항기.

3) 짜맞춘 댐퍼 다이오드.

4) 2SD2195 / 2SD1980을 보충합니다.

외형 칫수 (유닛 : 밀리미터)

절대 최대 정격 (Ta = 25' C)

매개 변수 기호 제한 유닛
컬렉터베이스 전압 VCBO -100
컬렉터-이미터 전압 VCEO -100
이미터 베이스 전압 VEBO -8
컬렉터전류 IC -2 A(DC)
-3 A(Pulse) *1
컬렉터 전력 손실 2SB1580 PC 2 W *2
2SB1316 1
10 W (Tc=25' C)
접합 온도 트제이 150 'C
저장 온도 트스트그 +150에 대한 -55 'C

*1 단일 펄스 Pw=100ms

*2 40 X 40 X에 설치될 때 요업인 0.7 밀리미터는 탑니다.

포장 사양과 하페

타입 2SB1580 2SB1316
패키지 MPT3 CPT3
하페 1k 내지 10k 1k 내지 10k
마킹 BN* --
코드 T100 TL
기초적 순서화 단위 (부분) 1000 2500

* 하페를 나타냅니다

전기 특성은 구부러집니다

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