새롭게 & 원형은 MOSFET 트랜지스터 (-100V, -2A) 2SB1316을 강화합니다
상술
컬렉터베이스 전압:
-100 V
컬렉터-이미터 전압:
-100 V
이미터 베이스 전압:
- 8 V
접합 온도:
150' C
저장 온도:
+150' C에 대한 -55
컬렉터전류:
-2 A(DC)
하이라이트:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
도입
파워 트랜지스터 (-100V, -2A) 2SB1580 / 2SB1316
특징
1) 높은 직류 전류 이득을 위한 다링톤 접속.
2) 토대와 방출기 사이의 짜맞춘 저항기.
3) 짜맞춘 댐퍼 다이오드.
4) 2SD2195 / 2SD1980을 보충합니다.
외형 칫수 (유닛 : 밀리미터)
절대 최대 정격 (Ta = 25' C)
매개 변수 | 기호 | 제한 | 유닛 | |
컬렉터베이스 전압 | VCBO | -100 | V | |
컬렉터-이미터 전압 | VCEO | -100 | V | |
이미터 베이스 전압 | VEBO | -8 | V | |
컬렉터전류 | IC | -2 | A(DC) | |
-3 | A(Pulse) *1 | |||
컬렉터 전력 손실 | 2SB1580 | PC | 2 | W *2 |
2SB1316 | 1 | |||
10 | W (Tc=25' C) | |||
접합 온도 | 트제이 | 150 | 'C | |
저장 온도 | 트스트그 | +150에 대한 -55 | 'C |
*1 단일 펄스 Pw=100ms
*2 40 X 40 X에 설치될 때 요업인 0.7 밀리미터는 탑니다.
포장 사양과 하페
타입 | 2SB1580 | 2SB1316 |
패키지 | MPT3 | CPT3 |
하페 | 1k 내지 10k | 1k 내지 10k |
마킹 | BN* | -- |
코드 | T100 | TL |
기초적 순서화 단위 (부분) | 1000 | 2500 |
* 하페를 나타냅니다
전기 특성은 구부러집니다
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