BSS138LT1G 파워 모스펫 트랜지스터 파워 모스펫 200 마, 50 Ｖ 엔-채널 SOT-23
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 50 Ｖ 200mA (Ta) 225mW (Ta) 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VDS:
50 VDC
브그스:
± 20 프디시
I Ｄ:
200 마
PD:
225mW
TL:
260 'Ｃ
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
파워 모스펫 200 마, 50 Ｖ 엔-채널 SOT-23
전형적인 애플리케이션은 컴퓨터, 프린터, PCMCIA 카드, 셀 방식이고 무선 전화와 같은 가지고 다닐 수 있고 배터리로 움직이는 제품에 직류-직류 변환기, 전원관리입니다.
특징
오우 Pb-프리 패키지는 이용 가능합니다
오우 저임계 전압 (VGS(th) :
0.5 V-1.5 V)는 저전압 응용을 위한 이상로 만듭니다
오우 축소형 SOT-23 표면 실장 패키지 저장 보드 공간
기록 :
1. ANSI Y14.5M 당 치수 조정과 톨러런싱, 1982년.
2. 지배적 차원 : 인치.
3. 최대 리드 두께는 리드 피니쉬 두께를 포함합니다. 최소 리드 두께는 기재의 최소 두께입니다.
4. 318-03과 -07 시대에 뒤떨어진, 새로운 기준 318-08.
최대 RATINGS (TA = 25' Ｃ 달리 언급되지 않으면)
| 평가 | 기호 | 가치 | 유닛 |
| 드레인 대 소스 전압 | VDS | 50 | 프디시 |
| 게이트-소오스 전압 - 연속적입니다 | VGS | ± 20 | 프디시 |
| TA = 25' Ｃ에 있는 전력 총손실 | PD | 225 | mW |
| 작동과 보존온도범위 | TJ, 트스트그 | - 55 내지 150 | 'Ｃ |
| 열 저항 - 접속 대 주위 | RJA | 556 | 'C/W |
| 10 초 동안, 납땜 목적을 위한 최대 리드온도 | TL | 260 | 'Ｃ |
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