BFR520 파워 모스펫 트랜지스터 NPN 9 기가헤르츠 광대역 트랜지스터
제조 업체:
제조업자
기술:
RF 트랜지스터 NPN 15V 70mA 9GHz 150mW 표면 부착 SC-75
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터베이스 전압:
20 Ｖ
컬렉터-이미터 전압:
15 Ｖ
DC 컬렉터전류:
70 마
전력 총손실:
300mW
귀환 커패시턴스:
0.4 pF
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
NPN 9 기가헤르츠 광대역 트랜지스터 BFR520
특징
오우 고전력 획득
오우 저잡음 형태
오우 높은 전이 주파수
오우 금 금속화는 우수한 신뢰성을 보증합니다.
기술
BFR520은 아날로그와 디지털 이동 통신 전화기, 무선 전화 (CT1, CT2 (발신전용휴대전화), DECT, 기타 등등), 레이더 검출기, 페이저와 같은 기가헤르츠 범위에서 광대역 응용에서 RF 전면측에 적용하기 위해 계획되는 ｎｐｎ 실리콘 플래너 에피택셜 트랜지스터고 위성 TV 튜너 (SATV)와 광섬유 시스템에서 리피터 증폭기입니다. 트랜지스터는 플라스틱 SOT23 봉투에서 요약됩니다
제한치
절대적 상한제 (IEC 134)에 따라.
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민. | 맥스. | 유닛 |
| VCBO | 컬렉터베이스 전압 | 개방 방사체 | - | 20 | Ｖ |
| VCES | 컬렉터-이미터 전압 | RBE = 0 | - | 15 | Ｖ |
| VEBO | 이미터 베이스 전압 | 개방 컬렉터 | - | 2.5 | Ｖ |
| Ｃ DC | 컬렉터전류 | - | 70 | 마 | |
| 피티오트 | 전력 총손실 | 최고 Ts = 97까지 'Ｃ ; 주기 1 | - | 300 | mW |
| 트스트그 | 저장 온도 | -65 | 150 | 'Ｃ |
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