NDS356AP 파워 트랜지스터 P-채널 논리 레벨 증가 모드 FET
제조 업체:
제조업자
기술:
P-채널 30 Ｖ 1.1A (Ta) 500mW (Ta) 표면 부착 SOT-23-3
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인-소스 전압:
-30 Ｖ
게이트-소스 전압 - 연속적입니다:
±20 Ｖ
최대 드레인 경향 - 연속적이 (:
±1.1 A
최대 파워 분해:
0.5W
작동과 보존온도범위:
-55 내지 150 'Ｃ
하이라이트:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
도입
NDS356AP P-채널 논리 레벨 증가 모드 FET
일반 설명
SuperSOTTM-3 P-채널 논리 레벨 증가 모드 전력 FET은 페어 차일드의 독점적, 높은 셀밀도, 이중 확산 금속 산화물 반도체 기술을 사용하여 생산됩니다. 이 초고밀도 과정은 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰집니다. 이러한 장치는 노트북 컴퓨터 전원관리, 휴대용 전자제품과 같은 저전압 응용에 특히 적합하고 다른 배터리가 빠른 고전위측 스위칭과 낮은 인라인 전력 손실이 초소형 개요 표면 실장 패키지에서 필요한 회로를 강화했습니다.
특징
-1.1 VGS=-4.5 Ｖ에 있는 = 0.3 Ｗ (의), -30 Ｖ, RDS
VGS=-10 Ｖ에 있는 = 0.2 Ｗ (의) RDS.
산업 기준 개요 SOT-23 표면 실장 패키지
뛰어난 열식을 위한 독점적 SuperSOTTM-3 디자인을 사용하기
그리고 전기적 역량.
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 고밀도 셀설계.
예외적 온 저항과 최대 DC 전기 성능.
절대 최대 정격 TA = 25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | NDS356AP | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | -30 | Ｖ |
| VGSS | 게이트-소스 전압 - 연속적입니다 | ±20 | Ｖ |
| ID | 최대 드레인 경향 - 연속적입니다 | ±1.1 | A |
| PD | 최대 파워 분해 | 0.5 | Ｗ |
| TJ, TSTG | 작동과 보존온도범위 | -55 내지 150 | 'Ｃ |
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