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MLP1N06CLG 파워 모스펫 트랜지스터 전압 CLAMPED 전류 제한 MOSFET 고전력 MOSFET 트랜지스터 RF 전력 모스페

제조 업체:
제조업자
기술:
전원 스위치 / 운전자 1시 1분 엔-채널 TO-220
범주:
전원관리 ICs
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VDS:
조여진 프디시
VDGR:
조여진 프디시
브그스:
±10 프디시
ID:
자기한정성 1.8 Adc
PD:
40 와트
하이라이트:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

도입

내부로 조여진, 현재 제한된 엔-채널 논리 레벨 파워 모스펫


쇼트 회로 보호를 위해 제한하는 이러한 SMARTDISCRETES 장치 기능 경향, ESD 보호를 위한 필수적 게이트-대-소스 클램프와 과전압 보호를 위한 드레인 게이트 클램프. MCU의 출력에 접속될 때 어떤 추가적 게이츠 직렬 저항도 요구되지 않지만, 그러나 40 kΩ 게이츠 풀다운 레지스터가 플로팅 게이트 상태를 회피한다고 추천받습니다.

내부 게이트-대-소스와 드레인 게이트 클램프는 장치가 외부 일시적인 억제 성분의 사용 없이 적용될 수 있게 허락합니다. 그렇게 하기 위한 게이츠 - 원천 클램프는 정전기 게이트 전압 스트레스에서 2.0 kV까지! MOSFET 입력을 보호합니다. 드레인 게이트 클램프는 유도성 부하와 함께 일어나는 배수 쇄도 스트레스에게서 MOSFET 배수를 보호합니다. 이 고유한 디지안은 본질적으로 작동 온도로부터 독립한 전압 클램핑을 제공합니다.

오우 온도 보정된 드레인 게이트 클램프 제한 전압 스트레스는 장치에 적용되었고, 과전압에게서 부하를 보호합니다

오우 통합된 ESD 다이오드 프로텍션

오우 콘트롤 스위치는 RFI를 최소화합니다

오우 저임계 전압은 마이크로프로세서에 인터페이싱 동력 부하를 가능하게 합니다

최대 정격

평가 기호 가치 유닛
드레인 대 소스 전압 VDS 조여집니다 프디시

드레인부터 게이트 전압

(RGS = 1.0 MΩ)

VDGR 조여집니다 프디시

게이트-소오스 전압

― 연속적입니다

VGS ±10 프디시
드레인전류 - 연속배수 경향 - 단일 펄스

ID

IDM

자기한정성 1.8 Adc
전력 총손실 PD 40 와트
정전기 방지 전압 (휴먼 바디 모델) ESD 2.0 kV
작동과 저장 결합 온도 범위 TJ, 트스트그 -50 내지 150 'C

주식 리스트

NL17SZ74USG 10000 ON 16+ US8
MC9S08AC32CFUE 4546 프리스케일 12+ QFP
MAR-4SM 2912 소형 16+ 술고래
MRF9030LR1 647 프리스케일 13+ NI-360
MRF373AL 442 형식 의미 언어 16+ SMD
L6205N 2168 거리 15+ 하락
MC9S08JM60CLD 4600 프리스케일 14+ LQFP
MCP6002-I/P 10000 마이크로칩 16+ 하락
PIC12F609 I / SN 5712 마이크로칩 16+ SOP
CY7C65215-32LTXI 2575 싸이프레스 15+ QFN32
OPA227U 6800 TI 13+ SOP
MIC4680YM 10000 마이클렐 16+ SOP
MBR130T1G 25000 ON 15+ SOD-123
PIC18F2220 I / SP 4668 마이크로칩 15+ 하락
MAX253CSA+T 8650 격언 14+ SOP
PE-68068 5600 펄스 16+ SMD
MC34072PG 3436 ON 10+ 하락
MC14046BCP 3424 ON 10+ 하락
PIC18F24J10 I / 그렇게 4623 마이크로칩 10+ SOP
LMH0041SQE/NOPB 763 TI 14+ WQFN-48
MC78L05ACHX 30000 페어 차일드 10+ SOT-89
PIC16F1827 I / 그렇게 5288 마이크로칩 16+ SOP
MIC5205-3.3YM5 38000 마이클렐 16+ SOT23-5
LNK625DG 6561 14+ SOP-7
PCI9656-BA66BIG 340 프로덕트 라이프 사이클 14+ BGA
NCP500SN18T1G 10000 ON 16+ SOT23-5
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20pcs