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MRF9030GNR1 파워 모스펫 모듈 전원 MOSFET 트랜지스터 RF 전력 장-효과 트랜지스터

제조 업체:
제조업자
기술:
RF Mosfet TO-270-2 잘 속는 사람
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인-소스 전압:
68 프디시
게이트-소스 전압:
-0.5, +15 프디시
보존온도범위:
+200 'C에 대한 -65
작동 접합 온도:
200 °C
입력 커패시턴스:
49.5 pF
출력 커패시턴스:
26.5 pF
하이라이트:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

도입

무선주파수 서브-마이크론 MOSFET 라인

RF 전력 FET

엔-채널 성장 모드 측면 모스페트스

945 마하즈, 30 W, 26 V 옆 엔-채널 광대역 RF 전력 모스페트스

1.0 기가헤르츠까지 주파수와 광대역 상업적이고 산업 적용을 위해 설계됩니다. 이러한 장치의 고이득과 광대역 성능은 26 볼트 기지국 장비에서 그들에게 큰 신호에 이상적이, 공통 소스 증폭기 적용을 만들어줍니다.

26 볼트인 945 마하즈에 있는 오우 전형적 이중 음 성능

출력 전원 - 30 와트는 활기를 띠게 합니다

전력 이득 - 19 dB

효율 - 41.5%

IMD - -32.5 dBc

오우 통합된 ESD 보호

오우는 최대 이득과 삽입 위상 균일성의 설계를 했습니다

26 프디시, 945 마하즈, 30 와트 CW 출력 전원에, 핸들링 10시 1분 전압 정재파비를 할수 있는 오우

오우 우수 열 안정성

시리즈 동등한 큰 신호 임피던스 파라미터로 묘사된 오우

테이프와 릴에서 오우. R1 Suffix = 500 알려지지 않은 32 밀리미터에 따르면, 13 인치가 비틀거립니다.

최대 정격

평가 기호 가치 유닛
드레인-소스 전압 VDS 68 프디시
게이트-소스 전압 VGS -0.5, +15 프디시

TC = 25' C MRF9030R1에 있는 전체 소자 산재

25' C를 위쪽에 낮추세요

PD

92

0.53

와트

W/' C

TC = 25' C MRF9030SR1에 있는 전체 소자 산재

25' C를 위쪽에 낮추세요

PD

117

0.67

와트

W/' C

보존온도범위 트스트그 +200에 대한 -65 'C
작동 접합 온도 TJ 200 'C

패키지 치수

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. Q'ty 제조 D/C 패키지
BFU710F 15000 15+ SOT-343
PIC16F526 I / SL 5193 마이크로칩 16+ SOP
LM810M3X-4.63 10000 NSC 15+ SOT-23-3
M95020-WMN6TP 10000 거리 16+ SOP
M93S46-WMN6 4686 거리 10+ SOP
MCT61 10000 FSC 16+ DIP-8
MAX809LEUR+T 10000 격언 16+ 술고래
52271-2079 3653 몰렉스 15+ 연결기
ZVP3306FTA 9000 ZETEX 15+ SOT23
MBR10100G 15361 ON 16+ TO-220
NTR2101PT1G 38000 ON 16+ SOT-23
MBRD640CTT4G 17191 ON 16+ TO-252
NTR4501NT1G 38000 ON 15+ SOT-23
LM8272MMX 1743 NSC 15+ MSOP-8
NDT014 10000 페어 차일드 14+ SOT-223
LM5007MM 1545 NSC 14+ MSOP-8
NRF24L01+ 3840 노르딕 10+ QFN
MI1210K600R-10 30000 관리인 16+ SMD
A3144E 25000 알레그로 13+ TO-92
MP3V5004DP 5784 프리스케일 13+ SOP

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