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엔 - 채널 600 V 2.0 ?오옴 무선주파수 고전력 MOSFET 트랜지스터 NDD04N60ZT4G

제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 600 V 4.1A (Tc) 83W (Tc) 표면 부착 DPAK
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VDS:
600 V
ID:
4.8- 4.1 A
IDM:
20 A
PD:
30- 83 W
브그스:
±30 V
하이라이트:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

도입

엔 - 채널 600 V 2.0 ?오옴 무선주파수 고전력 MOSFET 트랜지스터 NDD04N60ZT4G


특징

오우 낮은 온-레지스턴스

오우 낮은 게이트 요금

오우 ESD 다이오드-프로텍티드 게이트

시험된 오우 100% 쇄도

오우 이러한 장치가 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스 순응합니다

기록 :

1. ASME Y14.5M 당 치수 조정과 톨러런싱, 1994년. 2. 지배적 차원 : 인치.

3. 차원 b3, L3과 Z 이내에 선택적인 써멀 패드 윤곽.

4. 차원 D와 E는 몰드 플래쉬 또는 돌출 또는 거친 부분을 포함하지 않습니다. 몰드 플래쉬 또는 돌출 또는 게이트 버는 옆마다 0.006 인치를 초과하지 않을 것입니다.

5. 차원 D와 E는 플라스틱 몸체의 가장 바깥쪽 극도에 결정됩니다.

6. 자료와 비가 표면 기준면 H에 결정됩니다.

주식 리스트

OP07CSZ 10000 AD 16+ SOP
Z84C0010VEG 450 자일로그 08+ PLCC-44
LM7805AZ 10000 서부 표준시 15+ TO-252
MJE18008G 68000 ON 16+ TO-220
MAX3241EUI+T 1850 격언 16+ TSSOP
MT48LC4M16A2B4-6AIT :J 7282 마이크론 14+ 에프비지에이
MBM29F800BA-70PFTN 14812 후지쯔 14+ TSSOP
MR4030 6267 SHINDENGE 14+ TO220-7
MS1649 6512 MSC 16+ CAN-3
LTM8032EV 843 선형 14+ LGA
MAX9917EUB 11518 격언 16+ MSOP
BTA208-800B 10000 14+ TO-220
6MBP75RA060 453 후지 15+ 모듈
XL6005E1 2000 XLSEMI 15+ TO252-5L
LM565H 356 NSC 14+ CAN-10
MG15N6ES42 616 토시바 15+ 모듈
BH3854AS 450 ROHM 12+ DIP-32
XC3S1500-5FGG456C 200 자일링스 11+ BGA
NJM4558L 30000 JRC 16+ SIP-8
LA1823 3994 산요 16+ DIP-24
PCA82C250T 11860 16+ SOP
P1553ABL 8700 LITTELFUS 16+ TO-220
PIC32MX795F512L-80I/PF 1500 마이크로칩 15+ TQFP-100
MC7805CDTRK 10000 ON 16+ 술고래
LM4755T 975 NSC 14+ TO-263
M93C06-MN6T 10000 거리 16+ SOP
NAND128W3A2BN6E 5680 거리 16+ TSOP
PMEG3005EH 25000 15+ SOD-123
LA4270 2641 산요 15+ ZIP-10
BTB24-600BWR 3389 거리 14+ TO-220
PKG4428PI 80 에릭슨 02+ SMD
LTC4252-2IMS 6402 선형 15+ MSOP-10
LA4445 6010 산요 15+ SIP-12
PN100 5000 FSC 16+ TO-92
MAT01GH 2200 AD 15+ 깡통
MIW3023 404 미니맥스 16+ 하락
ATXMEGA64A3-AU 500 아트멜 10+ QFP64
ATXMEGA64A1-AU 1000 아트멜 12+ TQFP100
LM2841XMKX-ADJ 3000 TI 14+ TSOT-23-6
LTC2250CUH 1655 선형 14+ QFN

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