BFQ67W SOT-23 전자 집적 회로 보완적 실리콘 NPN 평면 RF 트랜지스터
제조 업체:
제조업자
기술:
RF 트랜지스터 NPN 10V 50mA 8GHz 300mW 표면 부착 SC-70
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
온도 범위:
+150' Ｃ에 대한 -65' Ｃ
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
전압:
2.5V
경향:
50mW
패키지:
SOT-23
공장 패키지:
3000PCS/Reel
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
BFQ67W SOT-23 전자 집적 회로 보완적 실리콘 NPN 평면 RF 트랜지스터
특징
오우 작은 귀환 커패시턴스
오우 저잡음 형태
오우 높은 전이 주파수
오우 리드 (Pb)는 성분을 -무료
로에스 2002/95/EC과 WEEE 2002/96/EC에 대한 인가의 오우 성분
애플리케이션
2 기가헤르츠에 달하는 저소음 소신호 증폭 회로. 이 트랜지스터는 UHF, VHF와 마이크로파 진동수에 뛰어난 소음 지수와 연합된 이득값 연기를 가지고 있습니다.
기계적 데이터 Typ :
BFQ67 건 : SOT-23 플라스틱 케이스 중량 : 대략. 8.0 마그네슘 마킹 : V2 피닝 : 1 = 수집기, 2 = 토대, 3 = 방출기 Typ : BFQ67R 건 : SOT-23 플라스틱 케이스 중량 : 대략. 8.0 마그네슘 마킹 : R67 피닝 : 1 = 수집기, 2 = 토대, 3 = 방출기 Typ : BFQ67W 건 : SOT-323 플라스틱 케이스 중량 : 대략. 6.0 마그네슘 마킹 : WV2 피닝 : 1 = 수집기, 2 = 토대, 3 = 방출기
절대 최대 정격
Tamb = 25 'Ｃ 그렇지 않았다면 상세화되고지 않는다면
| 매개 변수 | 사이볼 | 가치 | 유닛 |
| 컬렉터베이스 전압 | VCBO | 20 | Ｖ |
| 컬렉터-이미터 전압 | VCEO | 10 | Ｖ |
| 이미터 베이스 전압 | VEBO | 2.5 | Ｖ |
| 컬렉터전류 | IC | 50 | 마 |
| 전력 총손실 | 피티오트 | 200 | mW |
| 접합 온도 | Pj | 150 | 'Ｃ |
| 보존온도범위 | 트스트그 | +150에 대한 -65 | 'Ｃ |
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