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MJD112T4G 고전력 MOSFET 트랜지스터, 보완적 달링톤 파워 트랜지스터

제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN - 달링턴 100 V 2 25MHz 20 W 표면 부착 DPAK
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터-이미터 전압:
100VDC
컬렉터베이스 전압:
100VDC
이미터 베이스 전압:
5 프디시
베이스 전류:
50 마드크
TC = 25' C에 있는 전력 총손실:
20W
작동과 저장 결합 온도 범위:
+150 'C에 대한 -65
하이라이트:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

도입

MJD112T4G 고전력 MOSFET 트랜지스터, 보완적 달링톤 파워 트랜지스터

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

보완적 달링톤 파워 트랜지스터

표면 장착 적용품을 위한 DPAK

실리콘 파워 트랜지스터

2 암페어

100 볼트

20 와트

교환 조절기와 컨버터와 전력 증폭기와 같은 적용에서 생산 또는 드라이버단과 같은 범용 파워와 스위칭을 위해 설계됩니다.

특징

오우 Pb-프리 패키지는 이용 가능합니다

플라스틱 슬리브 (어떤 접미사)에서 표면 장착 적용품을 위해 형성된 오우 리드

플라스틱 슬리브 (-1 접미사)에서 오우 스트레이트 리드 버전

16 밀리미터 테이프와 릴 (T4와 RL 접미사)에서 오우 리드 형성된 버전

인기있는 TIP31과 TIP32 시리즈와 전기적으로 유사한 오우

최대 정격

평가 기호 맥스 유닛
컬렉터-이미터 전압 VCEO 100 프디시
컬렉터베이스 전압 볼륨 제어 블록 100 프디시
이미터 베이스 전압 VEB 5 프디시

컬렉터전류 - 연속적입니다

성수기

IC

2

4

Adc
베이스 전류 IB 50 마드크

TC = 25' C에 있는 전력 총손실

25' C를 위쪽에 낮추세요

PD

20

0.16

W/' C

TA = 25' C에 있는 전체 전력 Dissipation*

25' C를 위쪽에 낮추세요

PD

1.75

0.014

W/' C

작동과 저장 결합 온도 범위 TJ, 트스트그 +150에 대한 -65 'C

최대 정격은 디바이스 손상이 발생할 수 있는 그 가치입니다. 장치에 적용된 최대 정격은 개별적 응력 한계 가치 (전혀 정상적 운영 상태) 이고, 동시에 유효하지 않습니다. 만약 이러한 제한이 초과되면, 장치 기능의 운용이 의미되지 않고, 피해가 발생하고 신뢰성이 영향을 받을 수 있습니다.

마킹 다이어그램

패키지 치수

DPAK

경우 369C

오우를 발표하세요

DPAK-3

경우 369D-01

비를 발표하세요

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