MMBF170 파워 모스펫 트랜지스터, 엔 - 채널 증가 모드 FET
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 60 Ｖ 500mA (Ta) 300mW (Ta) 표면 부착 SOT-23-3
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인-소스 전압:
60 Ｖ
드레인 게이트 전압 (RGS < 1MW):
60 Ｖ
게이트-소스 전압:
± 20 Ｖ
드레인전류 - 연속적입니다:
500 마
작동과 보존온도범위:
-55 내지 150 'Ｃ
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
BS170 / MMBF170
엔-채널 증가 모드 FET
일반 설명
이러한 엔-채널 증가 모드 FET은 페어 차일드의 독점적, 높은 셀밀도, 이중 확산 금속 산화물 반도체 기술을 사용하여 생산됩니다. 이러한 제품은 온-상태 저항을 최소화하도록 설계되었고는 동안 울퉁불퉁하고 믿을 만하고 빠른 접속품질을 제공합니다. 그들은 최고 500mA까지 DC를 요구하여 대부분의 어플리케이션에서 사용될 수 있습니다. 이러한 제품은 작은 서보 모터 제어와 파워 모스펫 게이트 드라이버와 다른 교환 응용과 같은 저전압, 낮은 현재 애플리케이션에 특히 적합합니다.
특징
- 낮은 RDS(ON)를 위한 고밀도 셀설계.
- 전압은 소신호 스위치를 제어했습니다.
- 울퉁불퉁하고 믿을 만합니다.
- 고 포화 전류 역량.
절대 최대 정격 TA = 25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | BS170 | MMBF170 | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | 60 | Ｖ | |
| VDGR | 드레인 게이트 전압 (RGS< 1MW=""> | 60 | Ｖ | |
| VGSS | 게이트-소스 전압 | ± 20 | Ｖ | |
| ID |
드레인전류 - 연속적입니다 - 펄스가 발생됩니다 |
500 | 500 | 마 |
| 1200 | 800 | 마 | ||
| PD |
최대 파워 분해 25' Ｃ를 위쪽에 낮추세요 |
830 | 300 | mW |
| 6.6 | 2.4 | mW/' Ｃ | ||
| TJ, TSTG | 작동과 보존온도범위 | -55 내지 150 | 'Ｃ | |
| TL | 납땜 목적을 위한 최대 리드온도, 10 초 동안 사건으로부터의 1/16 " | 300 | 'Ｃ | |
| 열특성 | ||||
| RθJA | 열식 레지스타크네, 접속 대 주위 | 150 | 417 | 'C/W |
스위칭 시험 회로. 전환 파형.
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