SI4435DY 트렌치 전력 모스펫 파워 모스펫 트랜지스터 30V P-채널 파워트렌치 MOSFET
제조 업체:
제조업자
기술:
P-채널 30 Ｖ 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) 표면 부착 8-soic
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인-소스 전압:
-30 Ｖ
게이트-소스 전압:
±20 Ｖ
드레인전류 - 연속적입니다:
-8.8 A
단일 조작을 위한 전력 소모:
2.5 Ｗ
작동과 저장 결합 온도 범위:
+175 'Ｃ에 대한 -55
열 저항, 접합부 대 케이스:
25 'C/W
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
SI4435DY
30V P-채널 파워트렌치 MOSFET
일반 설명
이 P-채널 MOSFET은 페어 차일드 반도체의 진보적 파워트렌치 공정에 대한 울퉁불퉁한 게이트 버전입니다. 그것은 전력 관리 어플리케이션 요구에 대해 최적화되었고 다양한 구동 전압 시청률에게 (4.5V - 25V)를 주었습니다.
애플리케이션
· 전원관리
· 로드 스위치
· 배터리 보호
특징
한 · -8.8, -30 Ｖ VGS = -10 Ｖ에 있는 = 20 mW (의) RDS
VGS = -4.5 Ｖ에 있는 = 35 mW (의) RDS
· 낮은 게이트는 (전형적인 17nC)를 고발합니다
· 고속 스위칭 속도
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 · 고성능 트렌치 기술
· 고전력과 전류 핸들링 능력
절대 최대 정격 TA=25C 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | -30 | Ｖ |
| VGSS | 게이트-소스 전압 | ±20 | Ｖ |
| ID |
드레인전류 - 연속적입니다 (1a를 주목하세요) - 펄스가 발생됩니다 |
-8.8 | A |
| -50 | |||
| PD |
단일 조작을 위한 전력 소모 (1a를 주목하세요) (1b를 주목하세요) (1c를 주목하세요) |
2.5 |
Ｗ |
| 1.2 | |||
| 1 | |||
| TJ, TSTG | 작동과 저장 결합 온도 범위 | +175에 대한 -55 | 'Ｃ |
열특성
| RθJA | 열 저항, 접속 대 주위 (기록 1a) | 50 | 'C/W |
| RθJA | 열 저항, 접속 대 주위 (기록 1c) | 125 | 'C/W |
| RθJC | 열 저항, 접합부 대 케이스 (주기 1) | 25 | 'C/W |
정보를 표시하고 주문하는 패키지
| 디바이스 마킹 | 장치 | 릴 사이즈 | 테이프 폭 | 양 |
| SI4435DY | SI4435DY | 13" | 12 밀리미터 | 2500 유닛 |
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