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T410-600B-TR 트라이액 민감한 게이트 전자 집적 회로 파워 모스펫 트랜지스터 4A 트라이액

제조 업체:
제조업자
기술:
트라이액 논리 - 민감한 600번 게이트 V 표면 부착 당 4 DPAK
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
퓨징의 I2 T 가치:
5.1 A2 S
동작전류 상승률 IG = 2 X IGT, tr ≤ 100 나노 초:
50 A/us
최대 게이트 전류:
4 A
평균 게이트 전원 산재:
1 W
저장 결합 온도 범위:
- 40 + 150 'C에
작동 접합부 온도 범위:
- 40 + 125 'C에
하이라이트:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

도입

T4 시리즈

4A 트라이액

주요 특징

기호 가치 유닛
그것 (RMS) 4 A
VDRM / VRRM 600 내지 800
IGT (Q1) 5 내지 35

기술

높은 교환 성능을 제공하는 ST의 완충기가 없는 / 논리 레벨 기술을 기반으로, T4 시리즈는 AC 유도성 부하에서 사용하기 위해 적당합니다.

그들은 만능 모터, 전자 밸브를 사용하여 애플리케이션에 대하여 권고됩니다.... 키친 에이드 장비, 동력 공구, 식기 세척기들과 같이,... 완전히 격리된 패키지에 이용할 수 있, 그 T4... -... W 버전은 유엘 표준 (레프에 따릅니다. E81734).

절대 최대 정격

기호 매개 변수 가치 유닛
그것 (RMS) RMS 온 상태 전류 (가득 찬 정현파) IPAK/DPAK/ TO-220AB Tc = 110' C 4 A
ISOWATT220AB Tc = 105' C
ITSM 비 반복성 상승 절정 온전류 (전주기, 트제이 초기 = 25' C) F = 50 Hz t = 20 부인 30 A
F = 60 Hz t = 16.7 부인 31
나 2 T 퓨징의 I2 T 가치 tp = 10 부인 5.1 A2 S
dI/dt 동작전류 상승률 IG = 2 X IGT, tr ≤ 100 나노 초 F = 120 Hz Tj = 125' C 50 A/us
IGM 최대 게이트 전류 tp = 20 우리 Tj = 125' C 4 A
pg(AV) 평균 게이트 전원 산재 Tj = 125' C 1

트스트그

트제이

저장 결합 온도 범위

작동 접합부 온도 범위

- 40 내지 + 150

- 40 내지 + 125

'C

DPAK 패키지 기계적 데이터

(밀리미터에) DPAK 발자국 차원

ISOWATT220AB 패키지 기계적 데이터

IPAK 패키지 기계적 데이터

TO-220AB 패키지 기계적 데이터

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