IRF7240TRPBF 파워 모스펫 트랜지스터 고전력 MOSFET 트랜지스터
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
범주:
전원관리 ICs
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
배수 소스 전압:
-40 Ｖ
연속배수 경향:
-10.5 A
펄스용 드레인전류:
-43 A
전력 소모:
2.5 Ｗ
선 감쇄 요소:
20 mW/' Ｃ
게이트-소오스 전압:
± 20 Ｖ
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
주식 호가 (뜨거운 매도)
| 부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
| NDT456P | 5000 | 페어 차일드 | 16+ | SOP8 |
| OB2268CCPA | 5000 | OB | 16+ | SOP8 |
| P2003EVG | 5000 | 틴버겐 | 13+ | SOP8 |
| P6SMB27CA | 5000 | 비샤이 | 15+ | SMB |
| P89LPC932A1FDH | 5000 | 16+ | TSSOP | |
| PC400J00000F SOP-5 | 5000 | 전문가 | 16+ | SOP-5 |
| PIC16C711-04/P | 5000 | 마이크로칩 | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F716-I/P | 5000 | 마이크로칩 | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F84A-04I/SO | 5000 | 마이크로칩 | 14+ | SOP18 |
| PIC16F886 I / SP | 5000 | 마이크로칩 | 16+ | 하락 |
| PIC18F4431 I / PT | 5000 | 마이크로칩 | 16+ | TQFPQFP |
| RFD15P05SM | 5000 | 인터실 | 13+ | TO-252 |
| RT8010GQW | 5000 | RICHTEK | 15+ | WDFN |
| SFH6156-4 | 5000 | 비샤이 | 16+ | SOP4 |
| SI4880DY-T1-E3 | 5000 | VISHAT | 16+ | SOP-8 |
| SLF6028T-100M1R3-pf | 5000 | TDK | 14+ | SMD |
| SM15T15A | 5000 | 거리 | 14+ | DO-214AB |
| SM6S24A | 5000 | 비샤이 | 14+ | DO-218 |
| SMAJ15A | 5000 | 비샤이 | 16+ | SOD-214A |
| SMBJ6.0A | 5000 | 비샤이 | 16+ | SMB |
| SMCJ54A-E3 | 5000 | 비샤이 | 13+ | DO-214A |
| SN74AHC123ADR | 5000 | TI | 15+ | SOP-16 |
| SN74HC132N | 5000 | TI | 16+ | SOP |
| SN74HC148N TI 0401 | 5000 | TI | 16+ | SOP-16 |
| ST232ABDR | 5000 | 거리 | 14+ | SMD |
| ST232CWR | 5000 | 거리 | 14+ | SOP16 |
| STM8S103F2P6 | 5000 | 거리 | 14+ | SSOP |
| STP75NF75 | 5000 | 거리 | 16+ | TO-220 |
| STTH1R06U | 5000 | 거리 | 16+ | SMB |
| STU309D | 5000 | SAMHOP | 13+ | SOT-252 |
IRF7240PbF
HEXFET? 파워 모스펫
- 극저 온 저항 ?
- P-채널 MOSFET ?
- 표면 부착 ?
- 테이프 & 릴에 이용할 수 있습니까 ?
- 무연
| VDS | 최대 (의) RDS | ID |
| -40V | 0.015@VGS = -10V | -10.5A |
| 0.025@VGS = -4.5V | -8.4A |
기술
국제적인 정류기로부터의 이러한 P-채널 MOSFET은 실리콘 면적마다 극단적으로 낮은 온 저항을 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. 이 혜택은 배터리와 부하관리 애플리케이션에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적인 장치를 제공합니다..
SO-8은 다양한 전력 적용에서 그것을 이상적이게 하여 강화한 열특성과 복수 다이 능력을 위한 주문 제작된 리드프레임을 통하여 변경되었습니다. 이러한 개선으로, 다수의 장치는 극적으로 감소된 보드 공간과 적용에서 사용될 수 있습니다. 패키지는 기체상 또는 적외선 또는 납땜 공정 기술을 위해 설계됩니다
?절대 최대 정격
| 매개 변수 | 맥스. | 유닛 | |
| VDS | 배수 소스 전압 | -40 | Ｖ |
| TA = 25' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, -10V에 있는 VGS | -10.5 | A |
| TA= 70' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, -10V에 있는 VGS | -8.6 | A |
| IDM | 펄스용 드레인전류 | -43 | A |
| PD @TA = 25' Ｃ | 전력 소모 | 2.5 | Ｗ |
| PD @TA = 70' Ｃ | 전력 소모 | 1.6 | Ｗ |
| 선 감쇄 요소 | 20 | mW/' Ｃ | |
| VGS | 게이트-소오스 전압 | ± 20 | Ｖ |
| TJ, TSTG | 결합과 보존온도범위 | -55 내지 + 150 | 'Ｃ |
SO-8 패키지 아웃라인
차원은 밀리미터 (인치에) 나타납니다
SO-8 부분 마킹
예 : 이것은 IRF7101 (MOSFET) 입니다
SO-8 테이프와 릴
차원은 밀리미터 (인치에) 나타납니다
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