IRFR224 오디오 전력 모스펫, 표면 부착 스드 파워 모스펫 고전력
상술
VDS (V):
250
(Ω) (의) RDS:
VGS = 10 V / 0.21
큐그 (최대) (nC:
14
큐그스 (nC):
2.7
큐그드 (nC):
7.8
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
주식 리스트
| BD135 | 5000 | PH | 12+ | TO-126 |
| BT151-800R | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| BT152-800R | 5000 | 12+ | TO-220 | |
| BTS410E2 | 5000 | 16+ | TO-263220 | |
| BYM11-800 | 5000 | 비샤이 | 16+ | DO-213AB |
| CA3140 | 5000 | 인터실 | 16+ | SOP8 |
| DS2432P | 5000 | 격언 | 16+ | SOJ6 |
| ERJ-3EKF3000V | 5000 | 파나소닉 | 16+ | SMD |
| ERJ-3EKF8062V | 5000 | 파나소닉 | 14+ | SMD |
| HCPL-7800 | 5000 | AVAGO | 16+ | 하락 /는 스며듭니다 |
| HEF4046BP | 5000 | 16+ | 하락 | |
| HIN202ECBNZ | 5000 | 인터실 | 15+ | SOP16 |
| ICL7660CBAZ | 5000 | 인터실 | 16+ | SOP-8 |
| IP101A | 5000 | ICPLUS | 15+ | QFP |
| IR2112 | 5000 | IR | 12+ | DIP-14 |
| IRFB41N15D | 5000 | IR | 16+ | TO-220 |
| KBPC3506 | 5000 | 9월달 | 12+ | KBPC |
| KBU808 | 5000 | 9월달 | 16+ | KBU-4 |
| L9144 | 5000 | 거리 | 16+ | SOP-20 |
| L9700D | 5000 | 거리 | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-3.3 | 5000 | NS | 16+ | SOT223 |
| LM1876TF | 5000 | NS | 16+ | 지퍼 |
| LM2904DR | 5000 | TI | 14+ | SOP-8 |
| LM2936Z-5.0 | 5000 | NSC | 16+ | TO-92 |
| LM2940CT-5 | 5000 | NS | 16+ | TO-220 |
| LM311DR | 5000 | TI | 15+ | SOP-8 |
| LM318M | 5000 | NS | 16+ | SOP8 |
| LM741H | 5000 | NS | 15+ | CAN8 |
| LMH6624MA | 5000 | NS | 12+ | SOP8 |
| LP2980IM5X-5.0 | 5000 | NS | 16+ | SOT-153 |
| M908Q4CPE | 5000 | FREESCAL | 12+ | DIP8 |
| M95256-WMW6 | 5000 | 거리 | 16+ | SOP-8 |
| MAX1487ESA | 5000 | 격언 | 16+ | SOP |
| MAX489CPD | 5000 | 격언 | 16+ | 하락 |
| MB3759PF-G-BND-JN-ERE1 | 5000 | FUJITU | 16+ | SOP |
| MBR20100CT | 5000 | ON | 16+ | TO-220 |
| MBRB2060CT | 5000 | ON | 14+ | TO-263 |
| MC34064D-5R2G | 5000 | ON | 16+ | SOP8 |
| MCP810T-485I/TT | 5000 | 마이크로칩 | 16+ | SOP |
| MOC3021 | 5000 | 페어 차일드 | 15+ | SMD6 |
| MPSA18 | 5000 | ON | 16+ | TO-92 |
IRFR224
파워 모스펫 오디오 전력 모스펫 스드 파워 모스펫
특징
오우 원동력 dV/dt 평가
평가된 오우 반복성 쇄도
오우 표면 부착 (IRFR224/SiHFR224)
오우 스트레이트 리드 (IRFU224/SiHFU224)
테이프와 릴에 이용할 수 있는 오우
오우는 스위칭을 금식시킵니다
병렬의 오우 용이성
이용 가능한 -무료 오우 리드 (Pb)
기술
3 세대 전력 MOSFET 형태 비샤이는 디자이너에게 고속 스위칭, 울퉁불퉁한 기기 디자인, 낮은 온 저항과 비용효율성의 최고의 조합을 제공합니다. DPAK은 기체상 또는 적외선 또는 물결 솔데리그 기술을 이용하여 표면 장착을 위해 설계됩니다. 스트레이트 리드 버전 (IRFU / 시하프우 시리즈)은 스루홀 장착 애플리케이션을 위한 것입니다. 1.5 W에 달하는 파워 손실 레벨은 전형적 표면 부착에 가능합니다
애플리케이션.
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