듀얼 30 볼트 전력 트렌치 MOSFET 고내압 트랜지스터 FDS4935BZ
제조 업체:
제조업자
기술:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
드레인-소스 전압:
-30 Ｖ
게이트-소스 전압:
+25 Ｖ
드레인전류 - 연속적입니다:
-6.9 A
작동과 저장 결합 온도 범위:
+150 qC에 대한 -55
열 저항, 접속 대 주위:
78 qC/W
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
주식 리스트
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | 모듈 |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | ON | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | ON | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | 거리 | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | 아트멜 | 15+ | SOP-8 |
| PS21563 Ｐ | 500 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
| BNX003-01 | 2058 | 무라타 | 14+ | 하락 |
| LTC4441IMSE | 6207 | 선형 | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | 펄스 | 16+ | SOP |
| P0926NL | 8560 | 펄스 | 16+ | SOP |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | 람다 | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | 모듈 |
| CXA3834M | 2531 | 소니 | 15+ | SOP |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | SOP |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | MP | 16+ | SOP |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | SOP |
| PS20660 -MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | 모듈 |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | 모듈 |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | 모듈 |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | ON | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | 후지 | 14+ | 모듈 |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | 모듈 |
| XC3S250E-4TQG144C | 1968 | 자일링스 | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | 싸이프레스 | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | 거리 | 16+ | 하락 |
| QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
| ATTINY85-20PU | 500 | 아트멜 | 14+ | DIP-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | 후지 | 10+ | 모듈 |
| PC357N1TJ00F | 10000 | 전문가 | 16+ | SOP |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | 후지 | 14+ | 모듈 |
| 2MBI75P-140 | 523 | 후지 | 12+ | 모듈 |
| LNK364PN | 4211 | 힘 | 15+ | DIP-7 |
| RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
| CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | 모듈 |
| MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
| A3972SB | 1000 | 알레그로 | 13+ | DIP-24 |
| MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | 알레그로 | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | 르네사스 | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | 격언 | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | 선형 | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | 격언 | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | 필립 | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | 프리스케일 | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | 야게오 | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | 자일링스 | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | 격언 | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | ON | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | 붐 | 15+ | 지퍼 |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | 르네사스 | 16+ | SOP |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | 거리 | 16+ | SOP |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | 후지 | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | 프리스케일 | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | 자일링스 | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | 자일링스 | 15+ | BGA |
| PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | 술고래 |
FDS4935BZ
듀얼 30 볼트 P-채널 파워트렌치 MOSFET
특징
한 Ｘ -6.9, -30 V. RDS(ON) = 22 Ｍ :
VGS = -10 Ｖ RDS(ON)에 = 35 Ｍ :
VGS = - 4.5 Ｖ에
배터리 응용을 위한 Ｘ 확대된 VGSS 범위 (-25V)
Ｘ ESD 보호 다이오드는 (3을 주목합니다)
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 Ｘ 고성능 트렌치 기술
Ｘ 고전력과 전류 핸들링 능력
일반 설명
이 P-채널 MOSFET은 특히 각각 동시에 일어나는 전통적 스위칭 PWM 제어부들과 배터리 충전기를 이용하여 DC / dc 컨버터의 전반적인 효율성을 향상시키도록 설계되었습니다.
이러한 MOSFET은 비슷한 RDS(ON) 상술과 다른 MOSFET 보다 더 빠른 스위칭과 하층 게이트 요금을 특징으로 합니다. 결과는 운전하도록 쉽고 안전한 MOSFET이 (심지어 매우 높은 주파수로)과 DC / DC 전력이 설계에 더 높은 전반적인 효율성을 공급합니다.
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