STGB7NC60HDT4 파워 모스펫 트랜지스터 매우 빠른 전력 메쉬 IGBT
power mosfet ic
,multi emitter transistor
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
DS1245Y-100 | 1002 | 댈러스 | 15+ | TO-92 |
DS1990A-F5 | 1002 | 격언 | 16+ | 깡통 |
ICL7135CPIZ | 1002 | 인터실 | 16+ | 하락 |
IRFP150NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
IRFP260NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
K847P | 1002 | 비샤이 | 14+ | DIP16 |
LM301AN | 1002 | NS | 16+ | DIP8 |
LM35DT | 1002 | NS | 16+ | TO-220 |
MC34074AP | 1002 | ON | 13+ | DIP14 |
TC962CPA | 1002 | 마이크로칩 | 15+ | DIP8 |
VB125ASP | 1002 | STM | 16+ | SOP-10 |
LT1084CT-12 | 1005 | LT | 16+ | TO220 |
XC2C64A-7VQG44C | 1005 | 자일링스 | 14+ | QFP44 |
30344 | 560 | 보쉬 | 14+ | QFP |
AT93C66A-10SQ-2.7 | 1008 | 아트멜 | 14+ | SOP8 |
NCP1200AP40 | 1008 | ON | 16+ | DIP8 |
PCA82C250T/N4,118 | 3000 | 16+ | SOP8 | |
ADM5120PX-AB-T-2 | 1009 | 13+ | QFP208 | |
TDA8950J | 1011 | 15+ | ZIP23 | |
HT8950 | 1012 | 홀텍 | 16+ | 하락 |
TDA7384 | 1012 | 거리 | 16+ | 지퍼 |
CS5550-ISZ | 1022 | 사이러스 | 14+ | SSOP24 |
LF412CN | 1022 | NS | 14+ | DIP8 |
IR21141SSPBF | 1031 | IR | 14+ | SSOP24 |
XCF04SVOG20C | 1034 | 자일링스 | 16+ | SOP |
MC34084P | 1050 | ON | 16+ | DIP-14 |
DAC1220E | 1077 | TI | 13+ | SSOP16 |
AT91SAM7X256-AU | 1088 | 아트멜 | 15+ | QFP |
74LVX4245MTCX | 1100 | FSC | 16+ | TSSOP |
ADM2582EBRWZ | 1100 | AD | 16+ | SOP-20 |
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
엔-채널 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK
매우 빠른 파워메쉬티엠 IGBT
■ 낮은 온 전압 하락 (프시스트)
■ 떨어져서 손실은 테일 전류를 포함합니다
■ 손실은 다이오드 복구 에너지를 포함합니다
■는 CRE / CIES 비율을 낮춥니다
■ 고주파 수 동작 최고 70까지 킬로 헤르츠
■ 매우 부드러운 초고속이 회복 안티 패러렐 다이오드
더 단단한 파라미터 분포와 ■ 새로운 세대 제품
기술
특허 받는 스트립 레이아웃을 기반으로 최근 고전압 기술을 사용할 때, ST마이크로일렉트로닉스는 뛰어난 성능으로 IGBT의 진보적 가족, 파워메쉬티엠 IGBT를 설계했습니다. 접미사 H는 매우 높은 접속품질 (감소된 트폴)을 달성하기 위해 고주파 응용 분야에 대해 최적화된 가정을 확인합니다 유지하는 저전압 강하.
애플리케이션
■ 고주파 인버터 장치
양쪽 하드 스위치와 낭랑한 토폴로지에서 ■ SMPS와 PFC
■ 모터 구동장치
절대 최대 정격
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 | |
STGP7NC60HD STGB7NC60HD |
STGF7NC60HD | |||
VCES | 컬렉터-이미터 전압 (VGS = 0) | 600 | V | |
VECR | 에미터-컬렉터 전압 | 20 | V | |
VGE | 게이트 방사체 전압 | ±20 | V | |
IC | TC = 25' C (#)에 있는 (연속적인) 컬렉터전류 | 25 | 10 | A |
IC | TC = 100' C (#)에 있는 (연속적인) 컬렉터전류 | 14 | 6 | A |
ICM (?1) | (펄스용인) 컬렉터전류 | 50 | A | |
조건 | TC = 25' C에 있는 다이오드 RMS 순방향 전류 | 20 | A | |
PTOT | TC = 25' C에 있는 전체 산재 | 80 | 25 | W |
감쇄 요소 | 0.64 | 0.20 | W/' C | |
비소 |
단열재 내전압 에어컨. (t = 1 초 ; Tc = 25'C) |
- | 2500 | V |
트스트그 | 저장 온도 | - 55 내지 150 | 'C | |
트제이 | 작동 접합 온도 |
(1?) 펄스폭은 최대에 의해 제한했습니다. 접합 온도.
형태 1 : 패키지
형태 2 : 내부 계통도
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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