NJW0302G 보완적이 스위칭 파워 MOSFET 트랜지스터, NPN - PNP 전력 쌍극성 반도체 장치
제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
범주:
전자적 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VCEO:
250 프디시
VCBO:
250 프디시
VEBO:
5.0 Vdc
VCEX:
250 Vdc
IC:
15 30 Adc
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
보완적 NPN-PNP 전력 쌍극성 반도체 장치
이러한 상보 소자는 인기있는 NJW3281G와 NJW1302G 음향 출력 트랜지스터에 대한 낮은 전력 버전입니다. 뛰어난 획득 선형성과 안정 동작 영역 성능으로, 이러한 트랜지스터는 고충실도 증폭기 출력단과 다른 선형 응용에 이상적입니다.
특징
오엑스세르게내셔널 안정 동작 영역
50 마부터 3 A까지 10% 이내에 조화되는 oNPN/PNP 게인
오엑셀렌트 게인 선형성
오하이 BVCEO
오하이 주파수
오테스에는 Pb-프리 장치 베네입니다
혜택
고위 측 전원에 있는 오르엘리러블 성능
입력 신호의 보완적인 구조 오아큐레이트 재생에서 오시메트리칼 특성
오그레아테르 다이내믹 레인지
오하이 증폭기 대역폭 App
최대 정격
| 평가 | 기호 | 가치 | 유닛 |
| 컬렉터-이미터 전압 | VCEO | 250 | 프디시 |
| 컬렉터베이스 전압 | VCBO | 250 | 프디시 |
| 이미터 베이스 전압 | VEBO | 5.0 | 프디시 |
| 컬렉터-이미터 전압 - 1.5 Ｖ | VCEX | 250 | 프디시 |
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