FQP30N06 파워 모스펫 트랜지스터 파워 모스펫 ic 엔-채널 MOSFET
제조 업체:
제조업자
기술:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Drain-Source Voltage:
60 V
Gate-Source Voltage:
± 25 V
한 개의 펄스용 에벌런치 에너지:
280 마제이
Avalanche Current:
30 A
Repetitive Avalanche Energy:
7.9 mJ
Operating and Storage Temperature:
-55 to +175 °C
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
주식 호가 (뜨거운 매도)
| 부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
| MCIMX535DVV1C | 1066 | 프리스케일 | 14+ | BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC | 769 | 프리스케일 | 16+ | BGA |
| MCP100T-270I/TT | 68000 | 마이크로칩 | 15+ | SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT | 57000 | 마이크로칩 | 16+ | SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT | 58000 | 마이크로칩 | 10+ | SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT | 24000 | 마이크로칩 | 14+ | SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS | 6935 | 마이크로칩 | 16+ | MSOP |
| MCP1525T-I / TT | 22350 | 마이크로칩 | 14+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB | 11219 | 마이크로칩 | 16+ | SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT | 17041 | 마이크로칩 | 06+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB | 14911 | 마이크로칩 | 09+ | SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT | 87000 | 마이크로칩 | 12+ | SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT | 6249 | 마이크로칩 | 16+ | SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB | 8308 | 마이크로칩 | 13+ | SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB | 6320 | 마이크로칩 | 13+ | SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB | 5514 | 마이크로칩 | 16+ | SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC | 6845 | 마이크로칩 | 15+ | SOT223-5 |
| MCP2122 Ｅ / SN | 7708 | 마이크로칩 | 13+ | SOP-8 |
| MCP23S17-E / 그렇게 | 8974 | 마이크로칩 | 15+ | SOP-28 |
| MCP2551 I / SN | 7779 | 마이크로칩 | 16+ | SOP-8 |
| MCP2551T-E / SN | 3957 | 마이크로칩 | 16+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI / SN | 5841 | 마이크로칩 | 15+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI / SN | 5770 | 마이크로칩 | 15+ | SOP-8 |
| MCP3208-CI/P | 8740 | 마이크로칩 | 15+ | 하락 |
| MCP3421AOT-E / CH | 12828 | 마이크로칩 | 16+ | SOT23-6 |
| MCP3422AO-E / SN | 3875 | 마이크로칩 | 10+ | SOP-8 |
| MCP3424 Ｅ / SL | 8273 | 마이크로칩 | 16+ | SOP-14 |
| MCP3551 Ｅ / SN | 7817 | 마이크로칩 | 16+ | SOP-8 |
| MCP41050T I / SN | 4450 | 마이크로칩 | 11+ | SOP-8 |
| MCP41100 I / SN | 3572 | 마이크로칩 | 15+ | SOP-8 |
FQP30N06
60V 엔-채널 MOSFET
일반 설명
이러한 N-채널 증가형 전력 FET은 페어 차일드의 독점적, 평면 종류, 이중 확산 금속 산화물 반도체 기술을 사용하여 생산됩니다.
이 진보 기술은 온-상태 저항을 최소화하고, 뛰어난 접속품질을 제공하고, 쇄도와 커미테이션 모드에서 고에너지 동관에 견디기 위해 특히 맞춰졌습니다. 이러한 장치는 가지고 다닐 수 있고 배터리 조종된 제품에 전원관리에 대해 고효율 스위칭과 자동차, DC/ dc 컨버터와 같은 저전압 응용에 잘 적합합니다.
특징
= 0.04Ω @VGS = 10 Ｖ (의) 오우 30A, 60V, RDS
오우 낮은 게이트 요금 (전형적 19 nC)
오우 낮은 CRS (전형적 40 pF)
오우는 스위칭을 금식시킵니다
시험된 오우 100% 쇄도
오우 개선된 드프 / dt 역량
오우 175' Ｃ 접합 최고온도 평가
절대 최대 정격 TC = 25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | FQP30N06 | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | 60 | Ｖ |
| ID |
드레인전류 - 연속적인 (TC = 25' Ｃ) - 연속적입니다 (TC = 100' Ｃ) |
30 | A |
| 21.3 | A | ||
| IDM | 드레인전류 - 펄스가 발생되 (주기 1) | 120 | A |
| VGSS | 게이트-소스 전압 | ± 25 | Ｖ |
| EAS | 한 개의 펄스용 에벌런치 에너지 (기록 2) | 280 | 마제이 |
| IAR | 애벌랜치 전류 (주기 1) | 30 | A |
| 귀 | 반복성 에벌런치 에너지 (주기 1) | 7.9 | 마제이 |
| 드프 / dt | 최대 다이오드 복구 드프 / dt (기록 3) | 7.0 | V/ns |
| PD |
전력 소모 (TC = 25' Ｃ) - 25' Ｃ를 위쪽에 낮춥니다 |
79 | Ｗ |
| 0.53 | W/' Ｃ | ||
| TJ, TSTG | 작동과 보존온도범위 | +175에 대한 -55 | 'Ｃ |
| TL | 납땜 목적을 위한 최대 리드온도, 5 초 동안 사건으로부터의 1/8 " | 300 | 'Ｃ |
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