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KBP210 선형 전력 Mosfet 트렌치 전력 Mosfet 단일 상 2.0 Amps는 패시베이트된 브리지 정류 회로에 유리를 끼웁니다

제조 업체:
제조업자
기술:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Peak Repetitive Reverse Voltage...VRRM:
100 Volts
RMS Reverse Voltage...VR(rms):
70 Volts
DC Blocking Voltage...VDC:
100 Volts
Average Forward Rectified Current...IF(av) TA = 25°C:
. 2.0 Amps
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...IFSM 8.3 mS Single ½ Sine Wave Imposed on Rated Load:
60 Amps
하이라이트:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

도입

KBP210 선형 전력 Mosfet 트렌치 전력 Mosfet 단일 상 2.0 Amps는 패시베이트된 브리지 정류 회로에 유리를 끼웁니다


특징

프린트 회로 기판에 이상적입니다

상승 과부하 정격 출력 : 60 암페어 성수기

고온 납땜 : 단말기에 있는 260O C / 10 초

이용 가능한 것에서의 납프리 제품 : 위쪽에 99% 스킨은 로에스 환경 재료 지시적 요청을 만족시킵니다

기계적 데이터

경우 :플라스틱 성형

에폭시 : UL 94V-0 비율 난연제

이르세요 : 보증된 방법 208인 MIL-STD-202E

극성 : 성형되거나 몸에 표시된 상징

장착 위치 : 누구

중량 : 2.74 그램

최대 정격과 전기 특성

25 C 대기 온도에 있는 평가 그렇지 않았다면 상세화되고지 않는다면. 단일 상, 반파, 60 Hz, 저항력이 있거나 귀납적 로드.

용량성 부하를 위해 20%까지 경향을 낮추세요.

주식 리스트

PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE
PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 오키 14+ QFP
PS11003 C 500 MITSUBISH 12+ 모듈
MB87020PF-G-BND 3531 후지쯔 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ 지퍼
7MBP150RTB060 210 후지 12+ 모듈
MBM200HS6B 629 히다찌 14+ 모듈
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ 모듈
PWB130A40 120 SANREX 14+ 모듈
LA1185 3928 산요 14+ SIP9
BSM25GP120 458 EUPEC 15+ 모듈
LM2750LD-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 ON 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 ON 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ TSSOP-14
L78L05ABD 10000 거리 15+ SOP8
AT24C08BN-SH 5000 아트멜 15+ SOP-8
PS21563 P 500 MITSUBISH 12+ 모듈
BNX003-01 2058 무라타 14+ 하락
LTC4441IMSE 6207 선형 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 펄스 16+ SOP
P0926NL 8560 펄스 16+ SOP
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 람다 16+ IGBT
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
PDT15016 392 NIEC 14+ 모듈
CXA3834M 2531 소니 15+ SOP
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