KBP210 선형 전력 Mosfet 트렌치 전력 Mosfet 단일 상 2.0 Amps는 패시베이트된 브리지 정류 회로에 유리를 끼웁니다
상술
Peak Repetitive Reverse Voltage...VRRM:
100 Volts
RMS Reverse Voltage...VR(rms):
70 Volts
DC Blocking Voltage...VDC:
100 Volts
Average Forward Rectified Current...IF(av) TA = 25°C:
. 2.0 Amps
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...IFSM 8.3 mS Single ½ Sine Wave Imposed on Rated Load:
60 Amps
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
KBP210 선형 전력 Mosfet 트렌치 전력 Mosfet 단일 상 2.0 Amps는 패시베이트된 브리지 정류 회로에 유리를 끼웁니다
특징
프린트 회로 기판에 이상적입니다
상승 과부하 정격 출력 : 60 암페어 성수기
고온 납땜 : 단말기에 있는 260O C / 10 초
이용 가능한 것에서의 납프리 제품 : 위쪽에 99% 스킨은 로에스 환경 재료 지시적 요청을 만족시킵니다
기계적 데이터
경우 :플라스틱 성형
에폭시 : UL 94V-0 비율 난연제
이르세요 : 보증된 방법 208인 MIL-STD-202E
극성 : 성형되거나 몸에 표시된 상징
장착 위치 : 누구
중량 : 2.74 그램
최대 정격과 전기 특성
25 C 대기 온도에 있는 평가 그렇지 않았다면 상세화되고지 않는다면. 단일 상, 반파, 60 Hz, 저항력이 있거나 귀납적 로드.
용량성 부하를 위해 20%까지 경향을 낮추세요.
주식 리스트
PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | 오키 | 14+ | QFP |
PS11003 C | 500 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
MB87020PF-G-BND | 3531 | 후지쯔 | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | 지퍼 |
7MBP150RTB060 | 210 | 후지 | 12+ | 모듈 |
MBM200HS6B | 629 | 히다찌 | 14+ | 모듈 |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | 모듈 |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | 모듈 |
LA1185 | 3928 | 산요 | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | 모듈 |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | ON | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | ON | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | 거리 | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | 아트멜 | 15+ | SOP-8 |
PS21563 P | 500 | MITSUBISH | 12+ | 모듈 |
BNX003-01 | 2058 | 무라타 | 14+ | 하락 |
LTC4441IMSE | 6207 | 선형 | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | 펄스 | 16+ | SOP |
P0926NL | 8560 | 펄스 | 16+ | SOP |
PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
PH150S280-24 | 914 | 람다 | 16+ | IGBT |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | 모듈 |
CXA3834M | 2531 | 소니 | 15+ | SOP |
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