2SD667 실리콘 NPN 에피택셜 트랜지스터, 전자 성분 트랜지스터
상술
Collector to base voltage:
120 V
Collector to emitter voltage:
80 V
Emitter to base voltage:
5 V
Collector current:
1 A
Collector peak current:
2 A
Junction temperature:
150 °C
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
에피인 2SD667A 실리콘 NPN인 2SD667
애플리케이션
오우 낮은 주파수 파워 증폭기
2SB647/A와 오우 상보 쌍
절대 최대 정격 (Ta = 25' C)
항목 | 기호 | 2SD667 | 2SD667A | 유닛 |
기본 전압에 대한 수집기 | VCBO | 120 | 120 | V |
에미터 전압에 대한 수집기 | VCEO | 80 | 100 | V |
기본 전압에 대한 방출기 | VEBO | 5 | 5 | V |
컬렉터전류 | IC | 1 | 1 | A |
수집기 피이크 전류 | iC(peak) | 2 | 2 | A |
컬렉터 전력 손실 | PC | 0.9 | 0.9 | W |
접합 온도 | 트제이 | 150 | 150 | 'C |
저장 온도 | 트스트그 | +150에 대한 -55 | +150에 대한 -50 | 'C |
개요
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
TS462CN | 4060 | 거리 | 09+ | DIP-8 |
TS912AIN | 30120 | 거리 | 12+ | DIP-8 |
TS912IN | 25248 | 거리 | 16+ | DIP-8 |
TSM101CN | 10808 | 거리 | 09+ | DIP-8 |
UC3843AL -D08 T | 10760 | 거리 | 16+ | DIP-8 |
UC3845BD013TR | 10778 | 거리 | 14+ | DIP-8 |
TNY178PN | 14900 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TNY266PN | 18692 | 힘 | 15+ | DIP-7 |
TNY268PN | 7412 | 힘 | 15+ | DIP-7 |
TNY274PN | 11156 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY275PN | 15406 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY276PN | 6632 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
TNY277PG | 16374 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TNY278PG | 16352 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY280PG | 20000 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
TNY284P | 3436 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY285P | 3720 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
TNY286P | 4288 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY286PG | 6916 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TOP221PN | 7484 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TOP223PN | 8120 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TOP242PN | 7768 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TOP243PN | 20284 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TOP254PN | 17920 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
STR-A6252M | 17692 | SANKEN | 08+ | DIP-7 |
R36MF2 | 17352 | 전문가 | 16+ | DIP-7 |
S26MD02 | 5708 | 전문가 | 16+ | DIP-7 |
TDA12165PS/N3/3 | 710 | 14+ | DIP-64 | |
TDA9386PS/N2/3I0956 | 1007 | 필립 | 03+ | DIP-64 |
TIL111 | 13136 | 페어 차일드 | 15+ | DIP-6 |
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