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2SD669A 고전력 MOSFET 트랜지스터 실리콘 NPN 파워 트랜지스터

제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 140MHz 1 W Through Hole TO-126
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Collector-base voltage:
180 V
Collector-emitter voltage:
160 V
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current (DC):
1.5 A
Collector current-peak:
3 A
Junction temperature:
150 ℃
하이라이트:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

도입

실리콘 NPN 파워 트랜지스터 2SD669 2SD669A

기술

·With TO-126 패키지

·Complement가 2SB649/649A를 타이핑합니다

·High 항복 전압 VCEO :120/160V

·High 경향 1.5A

·Low 포화 전압, 우수한 하페 선형성

애플리케이션

·For 저주파 전력 증폭기 응용

절대적인 최대 평가(Ta=25C)

기호 매개 변수 상태 가치 유닛
VCBO 컬렉터베이스 전압 2SD669 개방 방사체 180
2SD669A 180
VCEO 컬렉터-이미터 전압 2SD669 개방형 베이스 120
2SD669A 160
VEBO 이미터 베이스 전압 개방 컬렉터 5
IC 컬렉터전류 (DC) 1.5 A
ICM 수집기 전류피크 3 A
PD 전력 총손실 Ta=25C 1
TC=25C 20
트제이 접합 온도 150
트스트그 저장 온도 -55~150

패키지 아웃라인

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. 브랜드 D/C 패키지
TIL111M 12128 페어 차일드 16+ DIP-6
TGS813 821 피가로 16+ DIP-6
PS710A 11988 NEC 15+ DIP-6
S21MD4V 7520 전문가 13+ DIP-6
STV2247H 18192 거리 14+ DIP-56
TDA9855 1904 필립 16+ DIP-52
SKBPC3516 14738 9월달 15+ DIP-5
ST16C550IP 7940 익사르 16+ DIP-40
UPD765AC-2 2750 NEC 15+ DIP-40
SC26C92C1N 1454 16+ DIP-40
PS2501-1-A 25500 르네사스 13+ DIP-4
RPI-441C1 12436 ROHM 16+ DIP-4
RPI-574 11358 ROHM 16+ DIP-4
RPI-579N1 17364 ROHM 08+ DIP-4
RPR-220 16400 ROHM 14+ DIP-4
RPR359F 15732 ROHM 10+ DIP-4
RPR-359F 4500 ROHM 16+ DIP-4
S1WBS80 17654 산요 11+ DIP-4
RS206 14768 9월달 16+ DIP-4
W08 81500 9월달 16+ DIP-4
UPD431000ACZ-70L 12540 NEC 16+ DIP-32
TDA4855 15174 필립 16+ DIP-32
TDA9160A 13684 필립 16+ DIP-32
ST-1MLBR2 6480 광 전자 공업 연구소 13+ DIP-3
SL1021B090 4236 LITTELFUS 16+ DIP-3
RE200B 6368 NICERA 13+ DIP-3
RE200B-P 7904 NICERA 12+ DIP-3
SPLLL90-3 521 오스람 10+ DIP-3
RPM6938 36584 ROHM 06+ DIP-3
RPM6938-V4 5972 ROHM 16+ DIP-3

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