NTR2101PT1G 파워 모스펫 트랜지스터 계획 ic 메모리칩 IC
상술
Temperature Range:
–40°C to +125°C
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
Voltage:
1.8V/2.5V/4.5V
Current:
3.7A
Package:
SOT-23
Factory Package:
3000/REEL
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
소신호 MOSFET -8.0 V, 한 -3.7, 한 개의 P-채널, SOT-23
특징
낮은 RDS를 위한 오우 지도 트렌치 기술 (계속)
저전압 게이트 드라이브를 위한 오우 -1.8 V 평가됩니다
작은 발자국 (3 X 3 밀리미터)을 위한 오우 SOT-23 표면 부착
오우 Pb-프리 패키지는 이용 가능합니다
애플리케이션
오우 높은 쪽 로드 스위치
오우 DC-DC 변환
오우 휴대폰, 노트북, 피다스, 등.
절대적인 최대 평가(1) |
드레인 대 소스 전압 VDS -8.0 V 게이트-소오스 전압 VGS ±8.0 V 연속배수 경향 (주기 1) T ≤ 10 S TA = 25' C ID -3.7 TA = 70' C -3.0 전력 소모 (주기 1) T ≤ 10 S PD 0.96 W 펄스용 드레인전류 tp = 10 S IDM -11 A 결합과 저장 온도 TJ, TSTG -55 내지 150 'C를 운영하기 전원 전류 (바디 다이오드)은 -1.2 A입니다 납땜 목적 (10 S 동안 경우로부터의 1/8″) TL 260 'C 동안 온도를 이끄세요 |
주식의 부분적
트랜스. FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | SOT23-3 | |
C.I L7805CD2T TR | 2500 | 거리 | 14+ | D2PAK |
FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
SN65HVD485EDR | 1500 | TI | 16+ | SOP-8 |
SMBJ8.5CA | 7500 | 비샤이 | 16+ | SMB |
PIC24FJ16GA004 I / PT | 1500 | 마이크로칩 | 13+ | TQFP-44 |
C.I TLC072CDGNR | 5000 | TI | 05+ | MSOP-8 |
C.I SN74LS374N | 2000 | TI | 15+ | DIP-20 |
트랜스. BC817-16LT1G | 300000 | ON | 12+ | SOT-23 |
C.I TL074CN | 1000 | TI | 12+ | DIP-14 |
OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | SOP-6 |
트라이액 BT151-500R | 300000 | 16+ | TO-220 | |
C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
C.I WS79L05 | 100000 | WS | 16+ | TO-92 |
RES RL1206FR-070R75L | 100000 | 야게오 | 16+ | SMD1206 |
RES RC1206FR-071R5L | 500000 | 야게오 | 16+ | SMD1206 |
RES RC1206FR-071R2L | 500000 | 야게오 | 16+ | SMD1206 |
RES RL1206FR-070R68L | 1000000 | 야게오 | 16+ | SMD1206 |
RES RC0402FR-0722KL | 3000000 | 야게오 | 16+ | SMD0402 |
RES RC0402FR-0756RL | 2000000 | 야게오 | 16+ | SMD0402 |
RES RC0402FR-0724RL | 2000000 | 야게오 | 16+ | SMD0402 |
RES RC1206JR-072ML | 500000 | 야게오 | 16+ | SMD1206 |
캡 1206년 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | 삼성 | 16+ | SMD1206 |
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