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FDS6990A 파워 모스펫 트랜지스터 듀얼 n채널 논리 파워트렌치 MOSFET

제조 업체:
제조업자
기술:
Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Drain-Source Voltage:
30 V
Gate-Source Voltage:
± 20 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +150 °C
Storage Temperature:
–55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
40 °C/W
하이라이트:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

도입

FDS6990A 파워 모스펫 트랜지스터 듀얼 n채널 논리 파워트렌치 MOSFET

일반 설명

이러한 엔-채널 논리 레벨 MOSFET은 아직 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰진 페어 차일드 반도체의 진보적 파워트렌치 과정을 사용하여 생산되고 뛰어난 접속품질을 유지합니다.

이러한 기기는 낮은 인라인 전력 손실과 고속 스위칭이 요구되는 저전압과 배터리 가동 애플리케이션에 잘 적합합니다.

특징

한 · 7.5, 30 V. VGS = 10 V에 있는 = 18 mW (의) RDS

VGS = 4.5 V에 있는 = 23 mW (의) RDS

· 고속 스위칭 속도

· 낮은 게이트는 청구합니다

극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 · 고성능 트렌치 기술

· 고전력과 전류 핸들링 능력

절대 최대 정격 TA=25C 달리 언급되지 않으면

기호 매개 변수 평가 유닛
VDS 드레인-소스 전압 30
VGSS 게이트-소스 전압 ± 20
ID

드레인전류 - 연속적입니다 (기록 1a)

- 펄스가 발생됩니다

7.5 A
20
PD

단일 조작 (기록 1a)를 위한 전력 소모

(1b를 주목하세요)

(1c를 주목하세요)

1.6
1.0
0.9
TJ, TSTG 작동과 저장 결합 온도 범위 +150에 대한 -55

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. 브랜드 D/C 패키지

G5V-1-DC9 6255 옴론 15+ 하락
G5V-2-12VDC 7727 옴론 14+ 하락
G60N100BNTD 3498 페어 차일드 13+ TO-264
G65SC51P-2 6939 CMD 16+ DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC 10509 옴론 13+ SOP-8
GAL16V8D-25LP 5311 레티스 16+ DIP-20
GBL08-E3/51 13704 비샤이 14+ DIP-4
GBPC3508W-E4/51 8669 비샤이 16+ DIP-4
GBU408 90000 9월달 13+ ZIP-4
GBU6K 14556 LRC 13+ SIP-4
GBU8M 17593 비샤이 15+ DIP-4
GE865-QUAD 1285 텔릿 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 거리 13+ 모듈
GL34A 4000 DIOTEC 13+ DO-213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 제네시스 15+ LQFP-48
GL865 듀얼 1174 텔릿 10+ GPRS
GLL4760-E3/97 24000 비샤이 10+ NA
GP1S094HCZ0F 5752 전문가 13+ DIP-4
GS2978-CNE3 2125 게넘 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 게넘 13+ QFN
GS2988-INE3 6693 게넘 16+ QFN16
GS3137-08-TAZ 2008 CONEXANT 09+ TSSOP
GSIB2580-E3/45 4938 비샤이 16+ GSIB-5S
GSOT03C-GS08 7000 비샤이 15+ SOT-23
GVA-63+ 8824 소형 15+ SOT-23
GVA-84+ 4397 소형 14+ SOT-89
H11AA1SR2M 14966 페어 차일드 14+ SOP-6
H11AA4 15037 페어 차일드 14+ 하락
H11AG1SR2M 4006 페어 차일드 14+ SOP-6

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