SST27SF010-70-3C-ph 256 Kbit / 512 Kbit / 1 메가비트 / 2 메가비트 많은 시간 프로그램 가능한 플래시
power mosfet ic
,silicon power transistors
SST27SF010-70-3C-PH 256Kbit / 512Kbit / 1Mbit / 2Mbit 다중 시간 프로그래밍 가능 플래시
특징:
• 32K x8 / 64K x8 / 128K x8 / 256K x8로 구성
• 4.5~5.5V 읽기 동작
• 우수한 신뢰성
– 내구성: 최소 1000 사이클
– 100년 이상의 데이터 보존
• 저전력 소비
– 활성 전류: 20mA(일반)
– 대기 전류: 10µA(일반)
• 빠른 읽기 액세스 팀
– 70ns
– 90ns
제품 설명
SST27SF256/512/010/020은 32K x8 / 64K x8 / 128K x8 / 256K x8 CMOS, MTP(Many-Time Programmable) 저비용 플래시로, SST의 독점 고성능 SuperFlash 기술로 제조되었습니다.스플릿 게이트 셀 설계 및 두꺼운 산화물 터널링 인젝터는 다른 접근 방식에 비해 더 나은 신뢰성과 제조 가능성을 얻습니다.이러한 MTP 장치는 12볼트 전원 공급 장치가 있는 외부 프로그래머를 사용하여 전기적으로 지우고 최소 1000번 프로그래밍할 수 있습니다.프로그래밍하기 전에 지워야 합니다.이 장치는 바이트 전체 메모리에 대한 JEDEC 표준 핀아웃을 준수합니다.
고성능 바이트 프로그램을 특징으로 하는 SST27SF256/512/010/020은 20µs의 바이트 프로그램 시간을 제공합니다.광범위한 응용 분야를 위해 설계, 제조 및 테스트된 이 장치는 최소 1000주기의 내구성을 제공합니다.데이터 보존 기간은 100년 이상입니다.
SST27SF256/512/010/020은 간헐적인 쓰기 및 저전력 비휘발성 스토리지가 필요한 애플리케이션에 적합합니다.이러한 장치는 현재 UV-EPROM, OTP 및 마스크 ROM을 사용하는 비휘발성 응용 분야에서 저렴한 비용으로 유연성, 효율성 및 성능을 개선합니다.
재고 목록
| XC3S250E-4TQG144C | 1968년 | 자일링스 | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | 사이프러스 | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16세 이상 | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | 성 | 16세 이상 | 담그다 |
| QM200DY-H | 250 | 미쓰비시 | 12+ | 기준 치수 |
| ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | 딥-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | 후지산 | 10+ | 기준 치수 |
| PC357N1TJ00F | 10000 | 날카로운 | 16세 이상 | 예규 |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | 후지산 | 14+ | 기준 치수 |
| 2MBI75P-140 | 523 | 후지산 | 12+ | 기준 치수 |
| LNK364PN | 4211 | 힘 | 15+ | 딥-7 |
| RA30H2127M | 200 | 미쓰비시 | 12+ | 기준 치수 |
| CM110YE4-12F | 228 | 미츠비 | 15+ | 기준 치수 |
| MRF321 | 642 | 경구 | 14+ | TO-55 |
| A3972SB | 1000 | 알레그로 | 13+ | 딥-24 |
| MR4010 | 6253 | 신뎅게 | 16세 이상 | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | 알레그로 | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | 르네사스 | 16세 이상 | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | 격언 | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628년 | 선의 | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | 미쓰비시 | 05+ | 무들 |
| MAX5160MEUA | 14950 | 격언 | 16세 이상 | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | 필립스 | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | 프리스케일 | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | 야게오 | 16세 이상 | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16세 이상 | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | 자일링스 | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | 격언 | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | 에 | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | 팔 | 15+ | 지퍼 |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | 르네사스 | 16세 이상 | 예규 |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | 성 | 16세 이상 | 예규 |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | 후지산 | 15+ | TSSOP |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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